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1. (WO2012001930) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/001930 国際出願番号: PCT/JP2011/003626
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 24.06.2011
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
歳清 公明 TOSHIKIYO, Kimiaki; null (UsOnly)
板倉 啓二郎 ITAKURA, Keijirou; null (UsOnly)
発明者:
歳清 公明 TOSHIKIYO, Kimiaki; null
板倉 啓二郎 ITAKURA, Keijirou; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-15252802.07.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
要約:
(EN) Disclosed is a solid state imaging device with high color reproducibility and high sensitivity and which comprises a plurality of pixel cells and a vertical signal line. The pixel cells have a photoelectric conversion film (26), a pixel electrode (27), a transparent electrode (25), an amplifying transistor, a reset transistor, and an address transistor. The solid state imaging device also comprises a low refractive index transparent layer (2) formed on top of the transparent electrode (25), and a plurality of high refractive index transparent sections (21a, 21b, 21c) that have a higher refractive index than the low refractive index transparent layer (2) and which are embedded within the low refractive index transparent layer (2). The high refractive index transparent sections (21a, 21b, 21c) separate incident light that enters the high refractive transparent sections (21a, 21b, 21c) into a 0-th order diffracted light, a 1st order diffracted light, and a -1st order diffracted light, and emit said diffracted light to the photoelectric conversion film (26).
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs offrant une bonne reproductibilité des couleurs et une grande sensibilité, qui comprend une pluralité de cellules de pixels et une ligne de signal verticale. Les cellules de pixels comportent un film de conversion photoélectrique (26), une électrode de pixel (27), une électrode transparente (25), un transistor d'amplification, un transistor de réinitialisation et un transistor d'adressage. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend également une couche transparente de faible indice de réfraction (2) formée au-dessus de l'électrode transparente (25), et une pluralité de sections transparentes d'indice de réfraction élevé (21a, 21b, 21c) qui ont un indice de réfraction supérieur à celui de la couche transparente de faible indice de réfraction (2) et qui sont intégrées dans ladite couche (2). Les sections transparentes d'indice de réfraction élevé (21a, 21b, 21c) séparent la lumière incidente qui y pénètre en une lumière diffractée d'ordre 0, une lumière diffractée d'ordre +1 et une lumière diffractée d'ordre -1, et transmettent ladite lumière diffractée jusqu'au film de conversion photoélectrique (26).
(JA)  本発明は、高色再現性と高感度を有する固体撮像装置を提供することを目的とするものであって、複数の画素セルと垂直信号線とを備え、画素セルは、光電変換膜(26)と画素電極(27)と透明電極(25)と増幅トランジスタとリセットトランジスタとアドレストランジスタとを有し、固体撮像装置は、さらに、透明電極(25)の上に形成された低屈折率透明層(2)と、低屈折率透明層(2)内に埋め込まれた、低屈折率透明層(2)より高い屈折率の複数の高屈折率透明部(21a)、(21b)及び(21c)とを備え、高屈折率透明部(21a)、(21b)及び(21c)は、高屈折率透明部(21a)、(21b)及び(21c)内に入射する光を0次回折光と1次回折光と-1次回折光とに分離して光電変換膜(26)に向けて出射する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)