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1. (WO2012001767) 半導体搭載用放熱基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/001767 国際出願番号: PCT/JP2010/061034
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 29.06.2010
IPC:
H01L 23/373 (2006.01) ,H01L 33/64 (2010.01) ,H01S 5/024 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
373
装置用材料の選択により容易になる冷却
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
64
放熱または冷却要素
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
024
冷却装置
出願人:
株式会社 高松メッキ TAKAMATSU PLATING CO.,LTD. [JP/JP]; 富山県富山市八尾町保内2-10 2-10, Yasuuchi Yatsuo-machi Toyama-shi, Toyama 9392366, JP (AllExceptUS)
山口 雅弘 YAMAGUCHI Masahiro [JP/JP]; JP
大下 文夫 OSHITA Fumio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
山口 雅弘 YAMAGUCHI Masahiro; JP
大下 文夫 OSHITA Fumio; JP
代理人:
恒田 勇 TUNEDA Isamu; 富山県富山市宝町1-3-17 1-3-17, Takara-machi, Toyama-shi Toyama 9300007, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING RADIATING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR MOUNTING
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT RAYONNANT POUR MONTAGE DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体搭載用放熱基板の製造方法
要約:
(EN) A process for producing a radiating substrate for semiconductor mounting is provided in which a clad metal is not used or is used only as a base located at the center of layers and in which metal layers are formed so as to be unreleasably integrated. The radiating substrate hence suffers no interlaminar separation, retains stable heat dissipation properties and mechanical strength, and has high reliability. The process is characterized by forming one or more metal layers by plating on each surface of a base material serving as the layer-thickness center, so that the metal layers are vertically symmetrical with respect to the center. Since no clad metal is used, except for the base material, and the metal layers are formed on the base material as the center by plating so as to be unreleasably integrated, no interlaminar separation occurs. This configuration, coupled with the structure including the precisely formed vertical symmetry, enables the radiating substrate for semiconductor mounting to retain stable heat dissipation properties and mechanical strength and have high reliability.
(FR) Cette invention concerne un procédé de production d'un substrat rayonnant pour montage de semi-conducteurs, sans utilisation de métal de revêtement sauf, éventuellement, en tant que base située au centre de couches. Dans ledit procédé, des couches de métal sont formées de manière à être solidarisées. Ainsi, le substrat rayonnant ne souffre pas de séparation interlaminaire, il assure la stabilité des propriétés de dissipation thermique et de la résistance mécanique, et il présente une grande fiabilité. Le procédé de l'invention est caractérisé par la formation d'une ou plusieurs couches de métal par placage sur chaque surface d'un matériau de base formant centre dans le sens de l'épaisseur des couches, de telle manière que les couches de métal sont verticalement symétriques par rapport au centre. Du fait que le procédé de l'invention n'utilise un métal de revêtement que pour le matériau de base et que les couches de métal sont formées par placage sur le matériau de base formant centre de manière à être solidarisées, la séparation interlaminaire est éliminée. Cette configuration, associée à la structure dotée d'une symétrie verticale formée avec précision, permet au substrat rayonnant pour montage de semi-conducteurs d'assurer la stabilité des propriétés de dissipation thermique et de la résistance mécanique et de présenter une grande fiabilité.
(JA) 【課題】合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。【解決手段】層厚の中心部となる基母材の両面に1以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする。【効果】基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)