16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2011132769) 半導体装置およびそれを用いたRFIDタグならびに表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132769 国際出願番号: PCT/JP2011/059906
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 22.04.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G06K 19/07 (2006.01) ,G06K 19/077 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
G 物理学
06
計算;計数
K
データの認識;データの表示;記録担体;記録担体の取扱い
19
少なくともその一部にデジタルマークが記録されるように設計され,かつ機械で使用される記録担体
06
デジタル記録マークの種類,例.形状,性質,コード,によって特徴づけられるもの
067
導電性マーク,印刷回路または半導体回路素子をもつ記録担体,例.クレジットカードまたは身分証明書
07
集積回路チップをもつもの
G 物理学
06
計算;計数
K
データの認識;データの表示;記録担体;記録担体の取扱い
19
少なくともその一部にデジタルマークが記録されるように設計され,かつ機械で使用される記録担体
06
デジタル記録マークの種類,例.形状,性質,コード,によって特徴づけられるもの
067
導電性マーク,印刷回路または半導体回路素子をもつ記録担体,例.クレジットカードまたは身分証明書
07
集積回路チップをもつもの
077
構造上の細部,例.担体内への回路の取付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP (AllExceptUS)
若菜 裕紀 WAKANA, Hironori [JP/JP]; JP (UsOnly)
河村 哲史 KAWAMURA, Tetsufumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
内山 博幸 UCHIYAMA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
藤井 邦治 FUJII, Kuniharu [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
若菜 裕紀 WAKANA, Hironori; JP
河村 哲史 KAWAMURA, Tetsufumi; JP
内山 博幸 UCHIYAMA, Hiroyuki; JP
藤井 邦治 FUJII, Kuniharu; JP
代理人:
筒井 大和 TSUTSUI, Yamato; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 筒井国際特許事務所 Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2010-09956023.04.2010JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, RFID TAG USING SAME, AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ÉTIQUETTE RFID LE COMPRENANT ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ASSOCIÉ
(JA) 半導体装置およびそれを用いたRFIDタグならびに表示装置
要約:
(EN) Disclosed is an oxide semiconductor layer (13) which forms a channel for a thin-film transistor and which includes at least In and oxygen and one or more types of elements from among Zn, Cd, Al, Ga, Si, Sn, Ce, and Ge. A high concentration region (13d) is disposed on one section of the oxide semiconductor layer (13), whereby said region has a maximum In concentration 30 at% or more higher than other regions on the oxide semiconductor layer (13). The film thickness of the oxide semiconductor layer (13) is 100 nm max., and the film thickness of the high concentration region (13d) is 20 nm max. or, preferably, 6 nm max. This enables a thin-film transistor with a sub-threshold coefficient of 100 mV/decade max., a high on-current, and a high field effect mobility to be achieved.
(FR) L'invention concerne une couche semi-conductrice d'oxyde (13) qui forme un canal pour un transistor en couches minces et qui contient au moins In et de l'oxygène et au moins un type d'éléments parmi Zn, Cd, Al, Ga, Si, Sn, Ce et Ge. Une zone de concentration élevée (13d) est disposée sur une partie de la couche semi-conductrice d'oxyde (13), ladite zone présentant une concentration maximale d'In de 30% atomique ou plus, supérieure à celle des autres zones sur la couche semi-conductrice d'oxyde (13). L'épaisseur de la couche semi-conductrice d'oxyde (13) est de 100 nm maximum et l'épaisseur de la zone de concentration élevée (13d) est de 20 nm maximum, de préférence 6 nm maximum. La présente invention permet d'obtenir un transistor en couches minces présentant un coefficient de sous-seuil de 100 mV/décade maximum, un courant de marche élevé et une mobilité à effet de champ élevée.
(JA)  薄膜トランジスタのチャネルを構成する酸化物半導体層(13)は、少なくともInと酸素とを含み、さらにZn、Cd、Al、Ga、Si、Sn、Ce、Geのうち、いずれか一種以上の元素を含む。酸化物半導体層(13)の一部には、酸化物半導体層(13)の他の領域に比べてInの濃度が30原子%以上高い極大値を持つ高濃度領域(13d)が設けられている。酸化物半導体層(13)の膜厚は100nm以下であり、高濃度領域(13d)の膜厚は20nm以下、より好ましくは6nm以下である。これにより、100mV/decade以下のサブスレッショルド係数と、高いオン電流および電界効果移動度とを備えた薄膜トランジスタを実現することができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130099229JPWO2011132769