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1. (WO2011132619) 固体撮像素子及び撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132619 国際出願番号: PCT/JP2011/059432
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 15.04.2011
IPC:
H04N 9/04 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
9
カラーテレビジョン方式の細部
04
画像信号発生装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
9
カラーテレビジョン方式の細部
04
画像信号発生装置
07
1つの撮像装置のみを有するもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031, JP (AllExceptUS)
河合 智行 KAWAI Tomoyuki; null (UsOnly)
田中 誠二 TANAKA Seiji; null (UsOnly)
芦田 哲郎 ASHIDA Tetsurou; null (UsOnly)
河口 武弘 KOUGUCHI Takehiro; null (UsOnly)
遠藤 恒史 ENDO Hisashi; null (UsOnly)
井上 知己 INOUE Tomoki; null (UsOnly)
発明者:
河合 智行 KAWAI Tomoyuki; null
田中 誠二 TANAKA Seiji; null
芦田 哲郎 ASHIDA Tetsurou; null
河口 武弘 KOUGUCHI Takehiro; null
遠藤 恒史 ENDO Hisashi; null
井上 知己 INOUE Tomoki; null
代理人:
高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; 東京都港区西新橋一丁目7番13号虎ノ門イーストビルディング9階 航栄特許事務所 Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2010-09736820.04.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像素子及び撮像装置
要約:
(EN) Disclosed is a solid-state imaging element capable of capturing two different types of color images of natural coloration. A solid-state imaging element (5) has multiple pairs of photoelectric conversion elements (51W, 51N) with different spectral sensitivity characteristics, and the main spectral sensitivity wavelength range of the photoelectric conversion element (51W) and the main spectral sensitivity wavelength range of the photoelectric conversion element (51N) are each within the wavelength range of a specific color of visible light. The half value width of the spectral sensitivity characteristic of the photoelectric conversion element (51W) of the pairs is broader than the half value width of the spectral sensitivity characteristic of the photoelectric conversion element (51N) of the pairs. The spectral sensitivity at each wavelength in the spectral sensitivity wavelength range of said photoelectric conversion element (51W) is higher than the spectral sensitivity at the aforementioned each wavelength of said photoelectric conversion element (51N). The rate of decrease of the half value width of said photoelectric conversion element (51N) to that of said photoelectric conversion element (51W) is greater than the rate of decrease of the peak sensitivity of said photoelectric conversion element (51N) to that of said photoelectric conversion element (51W).
(FR) L'invention porte sur un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui est capable de capturer deux types différents d'images couleur de coloration naturelle. Un élément d'imagerie à semi-conducteurs (5) présente de multiples paires d'éléments de conversion photoélectrique (51W, 51N) dont les caractéristiques de sensibilité spectrale sont différentes, et la plage de longueurs d'onde de sensibilité spectrale principale de l'élément de conversion photoélectrique (51W) et la plage de longueurs d'onde de sensibilité spectrale principale de l'élément de conversion photoélectrique (51N) sont toutes les deux incluses dans la plage de longueurs d'onde d'une couleur précise de lumière visible. La largeur à mi-hauteur de la courbe de sensibilité spectrale de l'élément de conversion photoélectrique (51W) des paires est plus large que la largeur à mi-hauteur de la courbe de sensibilité spectrale de l'élément de conversion photoélectrique (51N) des paires. La sensibilité spectrale à chaque longueur d'onde dans la plage de longueurs d'onde de sensibilité spectrale dudit élément de conversion photoélectrique (51W) est supérieure à la sensibilité spectrale à la même longueur d'onde dudit élément de conversion photoélectrique (51N). La proportion exprimée par la largeur à mi-hauteur dudit élément de conversion photoélectrique (51N) sur celle dudit élément de conversion photoélectrique (51W) est supérieure à la proportion exprimée par la sensibilité maximale dudit élément de conversion photoélectrique (51N) sur celle dudit élément de conversion photoélectrique (51W).
(JA)  自然な色合の異なる2種類のカラー画像を撮影できる固体撮像素子を提供する。 分光感度特性が異なる光電変換素子51W,51Nを含むペアを複数有する固体撮像素子5であって、光電変換素子51Wが主として分光感度を有する波長範囲と光電変換素子51Nが主として分光感度を有する波長範囲が、それぞれ可視光の特定の色の波長範囲に入っており、ペアの光電変換素子51Wの分光感度特性における半値幅が、当該ペアの光電変換素子Nの分光感度特性における半値幅よりも広く、当該光電変換素子51Wの分光感度を有する波長範囲の各波長における分光感度が、当該光電変換素子51Nの前記各波長における分光感度よりも高くなっており、当該光電変換素子51Wの半値幅に対する当該光電変換素子51Nの半値幅の減少率が、当該光電変換素子51Wのピーク感度に対する当該光電変換素子51Nのピーク感度の減少率よりも大きい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130044244CN102860011JPWO2011132619