PATENTSCOPE は、メンテナンスのため次の日時に数時間サービスを休止します。サービス休止: 月曜日 03.02.2020 (10:00 午前 CET)
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現在ご利用になれません。
この状況が続く場合は、次のお問い合わせ先までご連絡ください。ご意見・お問い合わせ
1. (WO2011132559) レーザアニール方法、装置及びマイクロレンズアレイ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132559 国際出願番号: PCT/JP2011/058990
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 11.04.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
出願人:
株式会社ブイ・テクノロジー V Technology Co., Ltd. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134 Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP (AllExceptUS)
水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡辺 由雄 WATANABE, Yoshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
畑中 誠 HATANAKA, Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu; JP
渡辺 由雄 WATANABE, Yoshio; JP
畑中 誠 HATANAKA, Makoto; JP
代理人:
藤巻 正憲 FUJIMAKI, Masanori; 神奈川県横浜市神奈川区栄町5番地1 横浜クリエーションスクエア19階 朋友国際特許事務所 HOYU PATENT OFFICE, 19th Floor, Yokohama Creation Square, 5-1 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
優先権情報:
2010-10029823.04.2010JP
発明の名称: (EN) LASER ANNEALING METHOD, DEVICE, AND MICROLENS ARRAY
(FR) PROCÉDÉ, DISPOSITIF ET MATRICE DE MICROLENTILLES POUR RECUIT AU LASER
(JA) レーザアニール方法、装置及びマイクロレンズアレイ
要約:
(EN) Disclosed are a laser annealing method, device, and microlens array that are able to configure a microlens array at a large pitch that differs from the pitch of regions at which the formation of a transistor is planned in an amorphous silicon film, and are able, at a smaller pitch than the arraying pitch of the microlens array, to form minute polysilicon film regions resulting from laser annealing of the amorphous silicon film. Of the microlenses, comprising a first group (11), a second group (12), and a third group (13), three rows are arrayed at the same pitch (P) within each group, and the microlenses are spaced by P+1/3 P between each group. In a first step, a first instance of laser light is radiated from the three rows of microlenses that are of the first group, and in a second step, a second instance of laser light is radiated from 2x3 rows of microlenses (5) at the point in time when the substrate (20) has been moved a distance of 3P, and in the same way thereafter, laser annealed regions are formed at a pitch of P/3.
(FR) L'invention concerne un procédé, un dispositif et une matrice de microlentilles pour recuit au laser, capables de configurer une matrice de microlentilles à un pas important qui diffère du pas de régions où la formation d'un transistor est prévue dans un film de silicium amorphe, et également capables, à un pas plus réduit que le pas d'alignement de la matrice de microlentilles, de former des régions de très petite taille en film de polysilicium résultant du recuit au laser du film de silicium amorphe. Parmi les microlentilles, qui comprennent un premier groupe (11), un deuxième groupe (12) et un troisième groupe (13), trois rangées sont alignées au même pas (P) dans chaque groupe, et les microlentilles sont espacées de P+1/3 P entre chaque groupe. Lors d'une première étape, une première instance de lumière laser est rayonnée à partir des trois rangées de microlentilles qui font partie du premier groupe et, lors d'une deuxième étape, une deuxième instance de lumière laser est rayonnée à partir de 2x3 rangées de microlentilles (5) à l'instant où le substrat (20) a été déplacé sur une distance valant 3P, des régions recuites au laser étant ensuite formées de la même façon à un pas de P/3.
(JA)  アモルファスシリコン膜におけるトランジスタ形成予定領域のピッチと異なる大きなピッチでマイクロレンズアレイを構成することができ、また、マイクロレンズアレイの配列ピッチよりも小さいピッチでアモルファスシリコン膜にレーザアニールによる微小ポリシリコン膜領域を形成することができるレーザアニール方法、装置及びマイクロレンズを提供する。 第1群11,第2群12及び第3群13のマイクロレンズは、各群内で、3列が同一ピッチPで配列され、各群間でマイクロレンズはP+1/3Pだけ離隔している。第1工程で、第1群の3列のマイクロレンズから1回目のレーザ光を照射し、第2工程で、基板20を3Pだけ移動させた時点で2×3列分のマイクロレンズ5から2回目のレーザ光を照射し、以後同様にして、P/3ピッチでレーザアニール領域を形成する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
CN102844839KR1020130065661