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1. (WO2011132494) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132494 国際出願番号: PCT/JP2011/057140
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 24.03.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
積水化学工業株式会社 SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565, JP (AllExceptUS)
真弓 聡 MAYUMI Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
屋代 進 YASHIRO Susumu [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
真弓 聡 MAYUMI Satoshi; JP
屋代 進 YASHIRO Susumu; JP
代理人:
渡辺 昇 WATANABE Noboru; 東京都千代田区五番町10番地 五番町KUビル3階 3rd Floor, Gobancho KU Building 10 Gobancho, Chiyoda-ku Tokyo 1020076, JP
優先権情報:
2010-09913522.04.2010JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT À PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約:
(EN) In the disclosed plasma processing device, the corrosion—by means of corrosive components caused by creeping discharge—of the bottom end of the middle electrodes of at least three arranged electrodes is prevented. At least three plate-shaped electrodes (21) are arranged. The discharge-generating surface (27) of each electrode (21) is covered by a dielectric member (30) comprising a plate-shaped solid dielectric. Purge gas is blown out from a purge nozzle (70) provided to the side of the electrodes (21). The purge gas flows along the bottom end surfaces of the inner electrodes (21B, 21C, 21D).
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement à plasma. Dans ledit dispositif, la corrosion - en raison de composantes corrosives entraînées par une décharge de rampage - de l'extrémité inférieure des électrodes médianes parmi au moins trois électrodes agencées est empêchée. Au moins trois électrodes en forme de plaque (21) sont agencées. La surface de génération de décharge (27) de chaque électrode (21) est couverte par un élément diélectrique (30) qui comprend un diélectrique solide en forme de plaque. Un gaz de purge est soufflé hors d'une buse de purge (70) prévue sur le côté des électrodes (21). Le gaz de purge s'écoule le long des surfaces d'extrémité inférieure des électrodes intérieures (21B, 21C, 21D).
(JA)  プラズマ処理装置において、3つ以上並べられた電極のうち内側電極の下端部が、沿面放電に起因する腐蝕性成分により腐蝕するのを防止する。 3つ以上の板状の電極21を並べる。各電極21の放電生成面27を板状の固体誘電体からなる誘電部材30にて覆う。電極21の側部に設けたパージノズル70からパージガスを吹き出す。パージガスが、内側の電極21B,21C,21Dの下端面に沿って流れる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN103098183KR1020120132696