国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2011132492) 薄膜キャパシタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132492 国際出願番号: PCT/JP2011/057100
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 24.03.2011
IPC:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
出願人:
太陽誘電株式会社 TAIYO YUDEN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都台東区上野6丁目16番20号 16-20, Ueno 6-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005, JP (AllExceptUS)
笹島 裕一 SASAJIMA, yuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
早川 一郎 HAYAKAWA, ichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
笹島 裕一 SASAJIMA, yuichi; JP
早川 一郎 HAYAKAWA, ichiro; JP
優先権情報:
2010-09652119.04.2010JP
発明の名称: (EN) THIN FILM CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR EN COUCHES MINCES
(JA) 薄膜キャパシタ
要約:
(EN) The disclosed MIM-structure thin film capacitor maintains IV characteristics and reliability even when using an upper electrode that serves as a substitute for Pt. The thin film capacitor (10) has an MIM-structure in which a lower electrode (14), a dielectric body layer (16), and an upper electrode (18) are formed in the given order on a substrate (12), and among the upper and lower electrodes, at least the upper electrode (18) is a layered electrode obtained by layering a nitride and a metal. The nitride would preferably contain a refractory metal such as Ta or Ti, and additionally, the metal with which the nitride is layered would preferably be the same as the metal contained in the nitride. Additionally, the nitride can contain Si. By using a layered electrode containing a nitride for at least the upper electrode (18), the same of IV characteristics as a Pt electrode can be achieved while increasing reliability, without the need for the characteristic-recovery annealing treatment that would be necessary when using the Pt electrode. Additionally, adhesion between the dielectric body layer (16) and the upper electrode (18) is improved, thus preventing detachment.
(FR) L'invention concerne un condensateur en couches minces à structure MIM dont les caractéristiques IV et la fiabilité sont conservées même en utilisant une électrode supérieure différente du platine. Le condensateur en couches minces (10) a une structure MIM dans laquelle une électrode inférieure (14), une couche de corps diélectrique (16) et une électrode supérieure (18) sont formées dans cet ordre sur un substrat (12), et des deux électrodes, au moins l'électrode supérieure (18) est une électrode stratifiée obtenue en déposant en couches un nitrure et un métal. Le nitrure contient de préférence un métal réfractaire tel que le tantale ou le titane, et le métal avec lequel le nitrure est déposé en couches est de préférence le même métal que celui contenu dans le nitrure. En outre, le nitrure peut contenir du silicium. En utilisant une électrode stratifiée contenant un nitrure au moins comme électrode supérieure (18), les mêmes caractéristiques IV qu'une électrode de platine peuvent être obtenues tout en augmentant la fiabilité, sans recourir à un traitement de recuit de récupération des caractéristiques qui serait nécessaire pour une électrode de platine. De plus, l'adhérence entre la couche de corps diélectrique (16) et l'électrode supérieure (18) est améliorée, empêchant ainsi un décollement.
(JA) 【課題】MIM構造の薄膜キャパシタにおいて、Ptに代わる上部電極を用いた場合であっても、IV特性や信頼性を維持する。【解決手段】薄膜キャパシタ10は、基板12上に、下部電極14,誘電体層16,上部電極18を順次形成したMIM構造であり、上下の電極のうち、少なくとも上部電極18が、窒化物と金属を積層した積層電極となっている。窒化物としては、Ta,Tiなどの高融点金属を含むことが好ましく、また、窒化物と積層される金属が、前記窒化物に含まれる金属と同じであることが好ましい。更に、窒化物がSiを含んでいてもよい。少なくとも上部電極18に窒化物を含む積層電極を用いることで、Pt電極を用いる場合に必要だった特性回復のアニール処理の必要なく、同等のIV特性を得られるとともに信頼性も向上する。また、誘電体層16と上部電極18の密着性が改善され、剥離が生じない。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130094120