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1. WO2011132471 - 非接触送電装置、非接触受電装置及び非接触充電システム

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明 細 書

発明の名称 非接触送電装置、非接触受電装置及び非接触充電システム

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003  

先行技術文献

特許文献

0004  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0005   0006  

課題を解決するための手段

0007   0008   0009   0010   0011   0012  

発明の効果

0013  

図面の簡単な説明

0014  

発明を実施するための形態

0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044  

符号の説明

0045  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9  

図面

1   2  

明 細 書

発明の名称 : 非接触送電装置、非接触受電装置及び非接触充電システム

技術分野

[0001]
 本発明は、電磁誘導を利用して、機器間の電力伝送を非接触にて行う非接触送電装置、非接触受電装置及び非接触充電システムに関するものである。

背景技術

[0002]
 このような非接触送電装置は、携帯電話やデジタルカメラ等の携帯機器に内蔵される二次電池(バッテリ)を非接触で充電することのできる装置として、近年、広く知られている。このような携帯機器及びこの携帯機器に対応する充電器(送電装置)には、充電のための電力を授受するコイルがそれぞれ備えられている。そして、それら両コイル間での電磁誘導により充電器から携帯機器に交流電力が伝送される。その交流電力が携帯機器にて直流電力に変換されることで、携帯機器の電源である二次電池への充電が行なわれる。
[0003]
 このような非接触充電にて電力伝送を行う際には、電力伝送用コイルから高周波磁束が発生する。電力伝送用コイル近傍に金属異物が存在すると、高周波磁束による渦電流が金属異物に流れ、金属異物が発熱し、送電装置に影響を与えるという問題があった。このため、コイル近傍に存在する金属異物を検知するための手段が考えられていた(例えば、特許文献1、特許文献2)。例えば、従来の送電装置は、金属異物によって加熱された送電装置の温度が予め決められた閾値を超えたことを検知し、送電装置が熱の影響を受ける前に充電を停止する。

先行技術文献

特許文献

[0004]
特許文献1 : 特開2003-153457号公報
特許文献2 : 特開2009-022126号公報

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0005]
 しかしながら、従来の温度検出は、使用環境の温度の変化に対応していない。例えば冬期のような寒い環境では、低い環境温度のために、正常時のコイル近傍温度と閾値との差が大きくなる。この場合、金属異物の存在のために上昇したコイル近傍温度が閾値を超えにくくなり、充電が停止されにくかった。すなわち、使用環境によっては金属異物の検知精度が不十分であり、電流が適切に遮断されなかった。この場合、金属異物に渦電流が流れ、伝送電力が損なわれる。
[0006]
 この発明の目的は、使用環境に左右されず、金属異物を検出することができる非接触送電装置、非接触受電装置及び非接触充電システムを提供することにある。

課題を解決するための手段

[0007]
 本発明の一側面は、非接触受電装置に非接触で電力を供給する非接触送電装置を提供する。その非接触送電装置は、交番磁束を発生する1次コイルであって、前記交番磁束を介して非接触受電装置の2次コイルと電磁結合可能な前記1次コイルと、1次コイル雄編温度を検出する第1温度センサと、前記第1温度センサとは異なる位置の温度を検出する第2温度センサと、前記第1温度センサにて検出された1次コイル周辺温度から前記第2温度センサにて検出された温度を減算した値が、予め決められた閾値を超えたかどうかを判断し、前記減算した値が前記閾値を超えたときに、1次コイルへの電力を停止させる又は異常を報知させる制御部と、を備える。
[0008]
 本発明の別の側面は、非接触送電装置の1次コイルから非接触で電力を受電し、受電した電力を負荷に供給する非接触受電装置を提供する。その非接触受電装置は、非接触送電装置の1次コイルによって発生された交番磁束を介して前記1次コイルと電磁結合可能な2次コイルと、2次コイル周辺温度を検出する第1温度センサと、前記第1温度センサとは異なる位置の温度を検出する第2温度センサと、前記第1温度センサにて検出された2次コイル周辺温度から前記第2温度センサにて検出された温度を減算した値が予め決められた閾値を超えたかどうかを判断し、前記減算した値が前記閾値を超えたときに、異常を報知させる制御部と、を備える。
[0009]
 本発明の更に別の側面は、交番磁束を発生する1次コイルを有する非接触送電装置と、前記1次コイルによって発生された交番磁束を介して前記1次コイルと電磁結合可能な2次コイルを備え、前記2次コイルを介して受電する非接触受電装置を備える非接触充電システムを提供する。そのシステムは、1次コイル周辺温度を検出する第1温度センサと、前記第1温度センサとは異なる位置の温度を検出する第2温度センサと、前記第1温度センサにて検出された温度から前記第2温度センサにて検出された温度を減算した値が予め決められた閾値を超えたかどうかを判断し、前記減算した値が前記閾値を超えたときに、1次コイルへの電力を停止させる又は異常を報知させる制御部と、を備える。
[0010]
 一例では、前記第2温度センサは、磁気シールド材で被覆されている。
 一例では、前記非接触送電装置が前記第1温度センサ及び前記第2温度センサを備える。
[0011]
 一例では、前記第2温度センサは、前記第1温度センサとは異なる位置において、前記非接触送電装置の外部の環境温度を検出する。一例では、前記第2温度センサは、前記1次コイルから離間した位置において、前記非接触送電装置の外部の環境温度を検出する。
[0012]
 一例では、前記第1温度センサは、電磁結合空間の温度を検出する。
 一例では、前記交番磁束によって前記1次コイルの近傍の金属異物が発熱したのに応答して、前記第1温度センサによって検出される前記1次コイル周辺温度は上昇し且つ前記第2温度センサによって検出される前記環境温度は実質的に変化しないように、前記第1温度センサ及び前記第2温度センサの位置は決められている。

発明の効果

[0013]
 本発明によれば、使用環境に左右されず、金属異物を検出することができる。

図面の簡単な説明

[0014]
[図1] 非接触充電システムのブロック図。
[図2] 金属異物存在時における、1次コイル周辺温度と環境温度の温度変化を示すタイミングチャート。

発明を実施するための形態

[0015]
 以下、本発明の実施形態に係る非接触送電装置及び非接触充電システムを説明する。図1に示すように、非接触充電システム100は、非接触送電装置10と非接触受電装置20とを備える。
[0016]
 まず、非接触送電装置10について説明する。非接触送電装置10は、電圧安定化回路11、送電部12、1次コイルL1、電圧検出回路13、1次側制御部14を備えている。また、非接触送電装置10は、金属異物を検知するために、第1温度検出回路15、第2温度検出回路16、第1サーミスタ17、第2サーミスタ18を備えている。
[0017]
 電圧安定化回路11は、外部電源Eから供給される入力電力の電圧を安定化させる。電圧安定化回路11に送電部12が接続されている。送電部12は、送電時に所定周波数の交流電力を生成する。送電部12は、通信信号送信時には、送信する通信信号に応じた周波数の交流電力を生成する。例えば、送電部12は、通信信号の論理「1」に対応して、周波数f1の交流電力を生成し、通信信号の論理「0」に対応して、周波数f2の交流電力を生成する。送電部12は、送電用の交流電力または信号送信用の交流電力を1次コイルL1に供給する。
[0018]
 1次コイルL1は、交流電力が供給されることにより交番磁束を発生する。1次コイルL1は、2次コイルL2と電磁結合して、電力を伝送する。この交番磁束は、交流電力の周波数に応じた周波数を有する。電圧検出回路13は、1次コイルL1の誘起電圧を検出する。電圧検出回路13は、1次側制御部14と接続されている。電圧検出回路13は、検出した誘起電力(電圧)に対応する検出信号を1次側制御部14に供給する。1次コイルL1を送電コイルと呼ぶことがあり、2次コイルL2を受電コイルと呼ぶことがある。
[0019]
 1次側制御部14は、中央演算処理装置(CPU)、記憶装置(不揮発性メモリー(ROM)、揮発性メモリー(RAM)など)を有するマイクロコンピュータやシステムLSIを中心に構成されている。そして、1次側制御部14は、メモリーに格納されている各種データ及びプログラムに基づいて、送電部12の発振制御などの各種制御を実行する。
[0020]
 1次側制御部14は、送電部12と接続されている。非接触送電装置10が非接触受電装置20に通信信号を送信する際、1次側制御部14は送信する通信信号(又は送信する通信信号に応じた周波数)を送電部12に供給して、送電部12に通信信号に応じた周波数の交流電力を生成させる。
[0021]
 1次側制御部14は、電圧検出回路13から検出信号を受信し、1次コイルの誘起電力の変化(波形)を測定または算出し、通信信号の検出及び異物の検出を行う。後述するように、非接触受電装置20が非接触送電装置10に通信信号を送信するときには、非接触受電装置20の信号制御回路23は通信信号を送信するための負荷変調処理を実行する。負荷変調に処理は、非接触送電装置10の1次コイルL1の誘起電力の波形を変化させる。例えば、非接触受電装置20が論理「0」の通信信号を送信するための負荷を小さくすると、1次コイルL1の誘起電力の波形の振幅が小さくなり、非接触受電装置20が論理「1」の通信信号を送信するための負荷を大きくすると、1次コイルL1の誘起電力の波形の振幅が大きくなる。1次側制御部14は、誘起電力のピーク電圧が閾値を超えたか否かにより、通信信号の種類を判別できる。非限定的な例では、1次側制御部14は、非接触受電装置20からの電磁誘導式におけるデータ通信を復調し、復調された通信信号を解析し、その解析結果に基づいて送電部12の発振(周波数)を制御することができる。1次側制御部14のROMは、各種閾値と、後に詳述する非接触受電装置20との間の電磁誘導式におけるデータ通信の復調及びその復調されたデータ通信の解析のための各種のパラメータとを格納している。
[0022]
 1次側制御部14は、第1温度検出回路15及び第2温度検出回路16と接続されている。第1温度検出回路15は、第1サーミスタ17と接続されている。第1サーミスタ17の電気抵抗は、温度のわずかな変化によって大幅に変化する。第1温度検出回路15は、第1サーミスタ17によって検出された温度に対応する温度信号を1次側制御部14に供給する。
[0023]
 第1サーミスタ17は、1次コイル周辺温度を検出する。図示した例では、第1サーミスタ17は、1次コイルL1の近傍に配置される。例えば、第1サーミスタ17は、1次コイルL1によって発生された交番磁束と交差することができる位置に配置されている。第1サーミスタ17は、1次コイルL1によって発生された交番磁束と交差する金属異物が発熱することにより、影響を受ける範囲に設置される。1次コイルL1の周辺に金属異物があるとき、1次コイルL1の交番磁束により、金属異物に渦電流が発生して金属異物が発熱することがある。第1サーミスタ17によって検出される1次コイル周辺温度は、当該金属異物の発熱に応答して上昇する。第1サーミスタ17は、第1温度センサ又は第1温度センサ素子の一例である。1次コイル周辺温度は、非接触送電装置10から非接触受電装置20への給電可能な空間である、電磁結合空間の温度であり得る。
[0024]
 第2温度検出回路16は、第2サーミスタ18と接続されている。第2サーミスタ18の電気抵抗は、温度のわずかな変化によって大幅に変化する。第2温度検出回路16は、第2サーミスタ18によって検出された温度に対応する温度信号を1次側制御部14に供給する。第2サーミスタ18は、第1サーミスタ17とは異なる位置に配置されている。図示した例では、第2サーミスタ18は、1次コイルL1から離間した、1次コイルL1の影響を受けない位置に配置される。より詳しく説明すると、第2サーミスタ18は、1次コイルL1によって発生された交番磁束と交差しない位置に配置されている。すなわち、第2サーミスタ18は、1次コイルL1によって発生された交番磁束と交差する金属異物が発熱しても、影響を受けない範囲に設置される。例えば、第2サーミスタ18は、第1サーミスタ17とは離れた位置に配置されることができ、または、非接触送電装置10の外面のうち、第1サーミスタ17が配置される面とは反対面に配置されることができる。第2サーミスタ18は、1次コイルL1によって発生された交番磁束の影響を受けない位置の周辺温度(環境温度)を検出する。第2サーミスタ18は、第2温度センサ又は第2温度センサ素子の一例である。
[0025]
 次に、非接触受電装置20について説明する。非接触受電装置20は、非接触送電装置10からの交番磁束を受ける2次コイルL2と、受電部21と、2次側制御部22と、信号制御回路23と、信号検出回路24と、バッテリBAを備えている。
[0026]
 受電部21は、2次コイルL2が交番磁束を受けることにより2次コイルL2に流れる交流電力(誘起電力)を直流電力に変換する整流回路を有する。整流回路は、整流ダイオードと、整流ダイオードにて整流された電力を平滑化させる平滑コンデンサとを備えており、2次コイルL2から供給された交流電力を直流電力に変換する、いわゆる半波整流回路として構成されている。なお、この整流回路の構成は、交流電力を直流電力に変換する整流回路としての一例に過ぎず、この構成に限定されるものではなく、ダイオードブリッジを用いた全波整流回路やその他の周知の整流回路の構成を有していてもよい。信号検出回路24は、2次コイルL2の誘起電力を検出する。そして、信号検出回路24は、2次側制御部22と接続されており、検出した誘起電力(電圧)の波形を2次側制御部22に供給する。
[0027]
 非接触受電装置20が非接触送電装置10に通信信号を送信する場合、信号制御回路23は、送信する通信信号に応じて2次コイルL2にかかる負荷を変化させる負荷変調処理を行う。この負荷変調処理は2次コイルL2を介して1次コイルL1の誘起電力の波形を変化させる。信号制御回路23は、2次側制御部22と接続されており、2次側制御部22からの制御信号に基づき、負荷変調処理を実行する。
[0028]
 2次側制御部22は、中央演算処理装置(CPU)、記憶装置(ROM、RAMなど)を有するマイクロコンピュータを中心に構成されている。そして、2次側制御部22は、メモリーに格納されている各種データ及びプログラムに基づいて、非接触受電装置20が有するバッテリBAの充電状態を判定するとともにその充電量制御などの各種制御を実行する。なお、本実施形態では、バッテリBAの充電量に基づいて非接触送電装置10への通信信号を生成するようにもなっている。2次側制御部22のROMは、バッテリ(本負荷)BAの充電量の判定を含む充電量制御のための各種情報と、通信信号の生成及びその通信信号に基づく変調のための各種パラメータとを予め格納している。
[0029]
 2次側制御部22は、バッテリBAの正極及び負極に接続され、バッテリBAから駆動用の電力供給を受けることができる。2次側制御部22は、例えばバッテリBAの端子間電圧からバッテリBAの充電量を算出することができる。2次側制御部22は、受電部21から供給された交流電力を予め決められた電圧に調節して充電電力を生成し、バッテリBAに供給する。2次側制御部22は、バッテリBAの充電量に応じて充電電力の供給と停止を切り替える。例えば、2次側制御部22は、バッテリBAの端子間電圧が予め設定された充電量判定用の閾値よりも低いとき、バッテリBAを充電することが好ましいと判断し場合、充電電力をバッテリBAに供給する。一方、バッテリBAの端子間電圧が上記の充電量判定用の閾値以上のとき、2次側制御部22は、バッテリBAを充電する必要が無いと判断し、バッテリBAへの充電電力の供給を停止する。
[0030]
 また、2次側制御部22は、動作電圧が動作可能な電圧よりも低い場合、バッテリBAとの接続を遮断し、バッテリBAからの電流の逆流を防止する。2次側制御部22は、2次コイルL2の誘起電力の周波数を監視して、非接触送電装置10からの通信信号が論理「1」であるか又は論理「0」であるかを判断する。
[0031]
 次に、1次コイルL1の近傍の金属異物検出について図2に基づき説明する。
 第1温度検出回路15は、第1サーミスタ17によって検出された1次コイル周辺温度に対応する温度信号を1次側制御部14に供給する。第2温度検出回路16は、第2サーミスタ18によって検出された環境温度に対応する温度信号を1次側制御部14に供給する。
[0032]
 1次側制御部14は、第1温度検出回路15と第2温度検出回路16から供給された温度信号に従い、検出した1次コイル周辺温度が検出した環境温度よりも予め決められた閾値以上高いか否かを判定する。すなわち、1次側制御部14は、同時期に検出した1次コイル周辺温度から環境温度を減算した値が予め決められた閾値以上であるか否かを判定する。別の例では、1次側制御部14は、検出した1次コイル周辺温度が検出した環境温度に予め決められた閾値を加算した以上であるか否かを判定する。図2には、検出した環境温度に予め決められた閾値を加算した温度を異物検出判定値として示されている。異物検出判定値は、検出した環境温度に応じて変化する。
[0033]
 予め決められた閾値は、金属異物が発熱したときにおける1次コイル周辺温度と、環.境温度との温度差である。金属異物が発熱したとき、1次コイル周辺温度と環境温度との温度差は、金属異物の大きさ、形状、材質、第1サーミスタ17から金属異物までの距離等により変わる可能性がある。予め決められた閾値は、金属異物が入っている可能性が高いと推定するに足りる1次コイル周辺温度を実験によって測定することによって、設定される。
[0034]
 1次側制御部14は、同時期の1次コイル周辺温度から環境温度を減算した値が予め決められた閾値以上でない場合(図2における時点T1参照)、金属異物による発熱の影響を受けていないと判定する。
[0035]
 一方、1次側制御部14は、1次コイル周辺温度から環境温度を減算した値が予め決められた閾値以上である場合(図2における時点T2参照)、金属異物による発熱の影響を受けて1次コイル周辺温度が上がっていると判定する。この場合、1次側制御部14は、1次コイルL1への電力供給を停止する。また、同時に1次側制御部14は、非接触送電装置10に設けられた報知部を制御して、金属異物が存在する旨を報知することができる。
[0036]
 以上詳述したように、本実施形態は、以下の効果を有する。
 (1)本実施形態では、1次コイル周辺温度と、環境温度の差が予め決められた閾値以上であるか否かに基づき、1次側制御部14は、金属異物が存在するか否かを判定する。環境温度が変化したとしても、金属異物が存在しない場合、1次コイル周辺温度は、それと共に変動することとなる。その一方で、環境温度が変化しなくても、金属異物が存在する場合、1次コイル周辺温度は、環境温度と異なる温度となり、金属異物を検出することができる。このため、環境温度にかかわらず、金属異物を検出することができる。
[0037]
 (2)1次側制御部14は、金属異物を検出した場合、1次コイルL1への電力供給を停止する。これにより、無駄な電力供給を防止することができると共に、金属異物の発熱を抑えることができる。また、1次側制御部14は、金属異物を検出した場合、報知部を制御して、金属異物が存在することを報知させる。これにより、金属異物の存在を知らせることができる。報知部は表示部、ブザー、振動部等であり得る。
[0038]
 (3)第1サーミスタ17は、1次コイルL1によって発生された交番磁束が届く位置に配置される。このため、金属異物が存在する場合、その発熱を検出することができる。また、第2サーミスタ18は、1次コイルL1によって発生された交番磁束が届かない位置に配置される。このため、金属異物が存在した合、その金属異物の発熱の影響を受けないで環境温度を検出することができる。
[0039]
 なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
 ・上記実施形態では、金物異物を検知した場合、1次側制御部14は、1次コイルL1への電力の供給を停止すると共に、異常を報知させるように報知部を制御したが、どちらか一方だけを実行しても良い。例えば、金物異物を検知した場合、1次側制御部14は、1次コイルL1への電力の供給を停止するだけでもよい。
[0040]
 ・上記実施形態において、待機状態(パワーセーブモード)における1次コイルL1の交流電力は、充電電力伝送時の交流電力よりも小さくなるような電力であれば、任意変更しても良い。
[0041]
 ・上記実施形態において、1次側制御部14は、1次コイル周辺温度が予め決められた温度以上となった場合、金属異物が存在すると判断し、1次コイルL1への電力の供給を停止すると共に、異常を報知させるように報知部を制御してもよい。
[0042]
 ・上記実施形態において、非接触送電装置10、第1温度検出回路15、第1サーミスタ17、第2温度検出回路16、第2サーミスタ18を備えたが、非接触受電装置に備えても良い。この場合、2次側制御部22が、2次コイル周辺温度及び環境温度に基づき、金属異物を検出することとなる。
[0043]
 ・上記実施形態において、サーミスタ17,18以外の構成で1次コイル周辺温度及び環境温度を検出するようにしても良い。
 ・上記実施形態において、2次側制御部22には、バッテリBAから駆動用の電力供給を受けるとしたが、駆動用の電力供給は受電部21から供給されても良い。
[0044]
 ・上記実施形態において、第2サーミスタ18は、磁気シールド材で覆われることで、1次コイルL1によって発生された交番磁束の影響をさらに受けないようにしても良い。また、第2サーミスタ18を磁気シールド材で覆うことで、交番磁束の影響を低減できるので、磁気シールドに覆わない場合と比べて、交番磁束が交差する範囲を近づけて、第2サーミスタ18を配置することが可能となる。これにより、非接触送電装置10を小型化することが可能となる。なお、磁気シールド材は、交番磁束の影響を軽減するものであれば良く、例えば、アモルファスやフェライトが好適である。

符号の説明

[0045]
 100…非接触充電システム、10…非接触送電装置、11…電圧安定化回路、12…送電部、13…電圧検出回路、14…1次側制御部、15…第1温度検出回路、16…第2温度検出回路、17…第1サーミスタ、18…第2サーミスタ、20…非接触受電装置、21…受電部、22…2次側制御部、23…信号制御回路、24…信号検出回路、BA…バッテリ、L1…1次コイル、L2…2次コイル。

請求の範囲

[請求項1]
 非接触受電装置に非接触で電力を供給する非接触送電装置であって、
 交番磁束を発生する1次コイルであって、前記交番磁束を介して非接触受電装置の2次コイルと電磁結合可能な前記1次コイルと、
 1次コイル周辺温度を検出する第1温度センサと、
 前記第1温度センサとは異なる位置の温度を検出する第2温度センサと、
 前記第1温度センサにて検出された1次コイル周辺温度から前記第2温度センサにて検出された温度を減算した値が予め決められた閾値を超えたかどうかを判断し、前記減算した値が前記閾値を超えたときに、前記1次コイルへの電力を停止させる又は異常を報知させる制御部と、
を備えることを特徴とする非接触送電装置。
[請求項2]
 非接触送電装置の1次コイルから非接触で電力を受電し、受電した電力を負荷に供給する非接触受電装置であって、
 前記非接触送電装置の前記1次コイルによって発生された交番磁束を介して前記1次コイルと電磁結合可能な2次コイルと、
 2次コイル周辺温度を検出する第1温度センサと、
 前記第1温度センサとは異なる位置の温度を検出する第2温度センサと、
 前記第1温度センサにて検出された2次コイル周辺温度から前記第2温度センサにて検出された温度を減算した値が予め決められた閾値を超えたかどうかを判断し、前記減算した値が前記閾値を超えたときに、異常を報知させる制御部と、
を備えることを特徴とする非接触受電装置。
[請求項3]
 交番磁束を発生する1次コイルを有する非接触送電装置と、
 前記1次コイルによって発生された交番磁束を介して前記1次コイルと電磁結合可能な2次コイルを備え、前記2次コイルを介して受電する非接触受電装置と
を備える非接触充電システムにおいて、
 1次コイル周辺温度を検出する第1温度センサと、
 前記第1温度センサとは異なる位置の温度を検出する第2温度センサと、
 前記第1温度センサにて検出された1次コイル周辺温度から前記第2温度センサにて検出された温度を減算した値が予め決められた閾値を超えたかどうかを判断し、前記減算した値が前記閾値を超えたときに、前記1次コイルへの電力を停止させる又は異常を報知させる制御部と、
を備えることを特徴とする非接触充電システム。
[請求項4]
 前記第2温度センサは、磁気シールド材で被覆されていることを特徴とする請求項3に記載の非接触充電システム。
[請求項5]
 前記非接触送電装置が前記第1温度センサ及び前記第2温度センサを備えることを特徴とする請求項3に記載の非接触充電システム。
[請求項6]
 前記第2温度センサは、前記第1温度センサとは異なる位置において、前記非接触送電装置の外部の環境温度を検出することを特徴とする請求項1に記載の非接触送電装置。
[請求項7]
 前記第2温度センサは、前記1次コイルから離間した位置において、前記非接触送電装置の外部の環境温度を検出することを特徴とする請求項1に記載の非接触送電装置。
[請求項8]
 前記第1温度センサは、電磁結合空間の温度を検出することを特徴とする請求項1に記載の非接触送電装置。
[請求項9]
 前記交番磁束によって前記1次コイルの近傍の金属異物が発熱したのに応答して、前記第1温度センサによって検出される前記1次コイル周辺温度は上昇し且つ前記第2温度センサによって検出される前記環境温度は実質的に変化しないように、前記第1温度センサ及び前記第2温度センサの位置は決められていることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載の非接触送電装置。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]