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1. (WO2011132454) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132454 国際出願番号: PCT/JP2011/053717
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 21.02.2011
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,C23C 16/509 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
509
内部電極を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
横川 政弘 YOKOGAWA, Masahiro; null (UsOnly)
村上 浩二 MURAKAMI, Kouji; null (UsOnly)
布袋田 暢行 HOTEIDA, Masayuki; null (UsOnly)
発明者:
横川 政弘 YOKOGAWA, Masahiro; null
村上 浩二 MURAKAMI, Kouji; null
布袋田 暢行 HOTEIDA, Masayuki; null
代理人:
野河 信太郎 NOGAWA, Shintaro; 大阪府大阪市北区西天満5丁目16-3 西天満ファイブビル 野河特許事務所 Nogawa Patent Office, Nishitenma Five Bldg., 16-3, Nishitenma 5-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2010-09711920.04.2010JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE, PLASMA PROCESSING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA, ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体素子の製造方法
要約:
(EN) A plasma processing device that is characterized by being provided with a chamber, capable of an air-tight seal, into which reactive gas is introduced, a discharge unit comprising cathodes and anodes disposed opposing each other and which produce plasma discharge, a power source for supplying power to the aforementioned cathodes, a conducting body that electrically connects the aforementioned power source and the aforementioned cathodes, and an air-cooling means for cooling the aforementioned conductive body.
(FR) L'invention porte sur un dispositif de traitement au plasma, lequel dispositif est caractérisé en ce qu'il comporte une chambre, apte à une étanchéité hermétique vis-à-vis de l'air, dans laquelle un gaz réactif est introduit, une unité de décharge comprenant des cathodes et des anodes disposées de façon à être mutuellement opposées, et qui produisent une décharge de plasma, une source d'alimentation pour alimenter les cathodes précédemment mentionnées en électricité, un corps conducteur qui connecte électriquement la source d'alimentation précédemment mentionnée et les cathodes précédemment mentionnées, et un moyen de refroidissement par air pour refroidir le corps conducteur précédemment mentionné.
(JA) 反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されてプラズマ放電を発生するカソードおよびアノードを有してなる放電部と、前記カソードに電力を供給する電源と、前記電源と前記カソードとを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)