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1. (WO2011132351) 半導体素子、半導体素子の製造方法、アクティブマトリクス基板及び表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132351 国際出願番号: PCT/JP2011/000425
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 26.01.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
松木薗広志 MATSUKIZONO, Hiroshi; null (UsOnly)
発明者:
松木薗広志 MATSUKIZONO, Hiroshi; null
代理人:
前田弘 MAEDA, Hiroshi; 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
優先権情報:
2010-09798121.04.2010JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体素子、半導体素子の製造方法、アクティブマトリクス基板及び表示装置
要約:
(EN) The disclosed semiconductor element is provided with: an oxide semiconductor film wherein a channel section has been formed; and a gate section disposed facing the channel section. Also, the oxide semiconductor film is formed with: a drain section at which the oxide semiconductor film has been subjected to a resistance-lowering treatment; and a intermediate region that is provided between the channel section and the drain section and that has not been subjected to the resistance-lowering treatment. The oxide semiconductor film is provided in at least one section with a conductive film that shields the intermediate region from the resistance-lowering treatment.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur qui comporte : un film semi-conducteur d'oxyde dans lequel a été formée une section de canal ; et une section de grille disposée en face de la section de canal. Le film semi-conducteur d'oxyde comporte également : une section de drain au niveau de laquelle le film semi-conducteur d'oxyde a été soumis à un traitement abaissant la résistance ; et une région intermédiaire disposée entre la section de canal et la section de drain et qui n'a pas été soumise au traitement abaissant la résistance. Le film semi-conducteur d'oxyde comporte dans au moins une section un film conducteur qui protège la région intermédiaire du traitement abaissant la résistance.
(JA)  半導体素子は、チャネル部が形成された酸化物半導体膜と、チャネル部に対向して配置されたゲート部とを備えている。そして、酸化物半導体膜には、酸化物半導体膜が低抵抗化処理されたドレイン部と、ドレイン部及びチャネル部の間に設けられて低抵抗化処理されていない中間領域とが形成され、少なくとも一部において中間領域に対する低抵抗化処理を遮蔽する導電性膜を備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130037800CN102859702JPWO2011132351KR1020130010125