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1. (WO2011132340) 低反射基板の製造方法、光起電力装置の製造方法、および光起電力装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/132340 国際出願番号: PCT/JP2010/069618
国際公開日: 27.10.2011 国際出願日: 04.11.2010
IPC:
H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
檜座 秀一 HIZA, Shuichi; JP (UsOnly)
松野 繁 MATSUNO, Shigeru; JP (UsOnly)
西村 邦彦 NISHIMURA, Kunihiko; JP (UsOnly)
発明者:
檜座 秀一 HIZA, Shuichi; JP
松野 繁 MATSUNO, Shigeru; JP
西村 邦彦 NISHIMURA, Kunihiko; JP
代理人:
酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; 東京都千代田区霞が関三丁目2番5号 霞が関ビルディング 酒井国際特許事務所 Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020, JP
優先権情報:
2010-09822121.04.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING LOW REFLECTION SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC DEVICE, AND PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT À FAIBLE RÉFLEXION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE, ET DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 低反射基板の製造方法、光起電力装置の製造方法、および光起電力装置
要約:
(EN) A method for producing a low reflection substrate according to one embodiment of the present invention comprises: a step wherein a high concentration impurity diffusion layer (2) is formed on a main surface of a (100) single crystal silicon substrate (1a); a step wherein an etching-resistant film (3) is formed on the high concentration impurity diffusion layer (2); a step wherein the etching-resistant film (3) is subjected to a sandblasting process so that an opening (4), which penetrates through the etching-resistant film (3) and reaches the high concentration impurity diffusion layer (2), is formed; a step wherein anisotropic etching is carried out via the opening (4) using an aqueous alkaline solution to which the etching-resistant film (3) is resistant, while having the etching-resistant film (3) provided with the opening (4) serve as a protective mask; and a step wherein the etching-resistant film (3) is removed after the etching.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat à faible réflexion, comprenant : une étape dans laquelle une couche de diffusion d'impuretés à haute concentration (2) est formée sur une surface principale d'un substrat de silicium monocristallin (100) (1a) ; une étape dans laquelle un film résistant à la gravure (3) est formé sur la couche de diffusion d'impuretés à haute concentration (2) ; une étape dans laquelle le film résistant à la gravure (3) est soumis à une opération de sablage destinée à ménager une ouverture (4) pénétrant dans le film résistant à la gravure (3) et atteignant la couche de diffusion d'impuretés à haute concentration (2) ; une étape dans laquelle une gravure anisotrope est réalisée par l'intermédiaire de l'ouverture (4) à l'aide d'une solution alcaline aqueuse à laquelle résiste le film résistant à la gravure (3), le film résistant à la gravure (3) et muni de l'ouverture (4) servant de masque de protection ; et une étape dans laquelle le film résistant à la gravure (3) est éliminé après la gravure.
(JA)  実施の形態にかかる低反射基板の製造方法は、(100)単結晶シリコン基板1aの主表面に高濃度不純物拡散層2を形成する工程と、前記高濃度不純物拡散層2の上に耐エッチング性膜3を形成する工程と、前記耐エッチング性膜3に対してサンドブラスト加工処理を施して当該耐エッチング性膜3を貫通して前記高濃度不純物拡散層2に達する開口4を形成する工程と、前記開口4が形成された前記耐エッチング性膜3を保護マスクとして、当該開口4を介して当該耐エッチング性膜3が耐性を有するアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行う工程と、前記エッチングの後に、前記耐エッチング性膜3を除去する工程とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011132340