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1. (WO2011129352) MEMSデバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/129352 国際出願番号: PCT/JP2011/059138
国際公開日: 20.10.2011 国際出願日: 13.04.2011
IPC:
H03H 3/007 (2006.01) ,B81B 3/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,H03H 9/24 (2006.01)
[IPC code unknown for H03H 3/07]
B 処理操作;運輸
81
マイクロ構造技術
B
マイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置
3
可撓性の,または変形可能な要素,例.弾性のある舌片または薄膜,からなる装置
B 処理操作;運輸
81
マイクロ構造技術
C
マイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置
1
基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
24
圧電,電わい,または磁わい以外の材料からなる共振器の構造上の特徴
出願人:
学校法人立命館 THE RITUMEIKAN TRUST [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京栂尾町1番地の7 1-7, Toganoo-cho, Nishinokyou, Nakagyou-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048520, JP (AllExceptUS)
鈴木 健一郎 SUZUKI Kenichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
玉野 晃正 TAMANO Akimasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
岡田 光広 OKADA Mitsuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
競 昌也 KISO Masaya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
鈴木 健一郎 SUZUKI Kenichiro; JP
玉野 晃正 TAMANO Akimasa; JP
岡田 光広 OKADA Mitsuhiro; JP
競 昌也 KISO Masaya; JP
代理人:
岸本 泰広 KISHIMOTO Yasuhiro; 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 c/o SANYO Electric Co., Ltd., 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677, JP
優先権情報:
2010-09516316.04.2010JP
発明の名称: (EN) MEMS DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF MEMS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) MEMSデバイスおよびその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a production method for MEMS devices, whereby it is easy to manufacture a structure in which the surface of a substrate and the bottom surface of a vibration member face one another with a sufficiently narrow gap therebetween. The MEMS device production method is a method for producing a MEMS device that comprises a vibrating section (2), which is a floating structure affixed to a substrate, and a raised facing section (5), which is separate from and faces part of the vibrating section (2) region. Said method includes: a step for preparing an SOI substrate; a step for patterning a first silicone layer, forming an outer frame section and the raised facing section (5), and forming through-holes (18) in the raised and facing section (5); a step for creating a state of separation between the raised facing section (5) and a second silicone layer by etching away part of an intermediate insulating layer; a step for collectively adhering substrates so as to cover the outer frame and the raised facing section; and a step for forming a vibrating section (2) by patterning the second silicone layer and then further isolating the raised facing section.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif MEMS permettant de fabriquer aisément une structure comprenant une surface de substrat et une surface inférieure d'élément vibrant en regard l'une de l'autre, séparées d'un espace suffisamment étroit. Le procédé de fabrication d'un dispositif MEMS permet de fabriquer un dispositif MEMS qui comprend une partie vibrante (2) jouant le rôle de structure flottante fixée à un substrat, et une partie en regard rehaussée (5) qui est séparée de la partie vibrante (5) et en regard de celle-ci. Le procédé comprend les étapes suivantes : une étape consistant à préparer un substrat SOI ; une étape consistant à appliquer un motif sur une première couche de silicium, à former une partie cadre extérieur et une partie en regard rehaussée (5), et à ménager des trous traversants (18) dans la partie en regard rehaussée (5) ; une étape consistant à créer une séparation entre la partie en regard rehaussée (5) et une deuxième couche de silicium par élimination par gravure d'une partie d'une couche isolante intermédiaire ; une étape consistant à souder collectivement un substrat de recouvrement ; et une étape consistant à former une partie vibrante (2) par application d'un motif sur la deuxième couche de silicium et à isoler davantage la partie en regard rehaussée.
(JA) 【課題】MEMSデバイスの製造方法において、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を容易に製造可能とする。 【解決手段】MEMSデバイスの製造方法は、基材に固定された浮き構造体としての振動部2と、振動部2の一部の領域に対して離隔対向しているかさ上げ対向部5とを備えるMEMSデバイスを製造する方法であって、SOI基板を用意する工程と、第1シリコン層をパターニングして、外枠部とかさ上げ対向部5とを形成し、かつ、かさ上げ対向部5には貫通孔18を形成する工程と、中間絶縁層の一部をエッチング除去することによってかさ上げ対向部5と第2シリコン層とが互いに離隔した状態を作り出す工程と、一括して被覆するように基材を貼り付ける工程と、前記第2シリコン層をパターニングすることによって振動部2を形成し、さらにかさ上げ対向部5を孤立させる工程とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011129352