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1. (WO2011129351) MEMSデバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/129351 国際出願番号: PCT/JP2011/059137
国際公開日: 20.10.2011 国際出願日: 13.04.2011
IPC:
H03H 3/007 (2006.01) ,B81B 3/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,H03H 9/24 (2006.01)
[IPC code unknown for H03H 3/07]
B 処理操作;運輸
81
マイクロ構造技術
B
マイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置
3
可撓性の,または変形可能な要素,例.弾性のある舌片または薄膜,からなる装置
B 処理操作;運輸
81
マイクロ構造技術
C
マイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置
1
基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
24
圧電,電わい,または磁わい以外の材料からなる共振器の構造上の特徴
出願人:
学校法人立命館 THE RITUMEIKAN TRUST [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京栂尾町1番地の7 1-7, Toganoo-cho, Nishinokyou, Nakagyou-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048520, JP (AllExceptUS)
鈴木 健一郎 SUZUKI Kenichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
玉野 晃正 TAMANO Akimasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
岡田 光広 OKADA Mitsuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
競 昌也 KISO Masaya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
鈴木 健一郎 SUZUKI Kenichiro; JP
玉野 晃正 TAMANO Akimasa; JP
岡田 光広 OKADA Mitsuhiro; JP
競 昌也 KISO Masaya; JP
代理人:
岸本 泰広 KISHIMOTO Yasuhiro; 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 c/o SANYO Electric Co., Ltd., 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677, JP
優先権情報:
2010-09516216.04.2010JP
発明の名称: (EN) MEMS DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF MEMS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) MEMSデバイスおよびその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a MEMS device production method which enables easy manufacture of a structure wherein a substrate surface and a vibration member lower surface face each other with a sufficiently narrow gap in between. The MEMS device production method includes: a step (S1) wherein an SOI substrate is prepared; a step (S2) wherein a first silicone layer is patterned and an outer frame section, a raising and facing section, and a supporting beam section, which connects at least three positions on the raising and facing section and the outer frame section, are formed; a step (S3) wherein a state of separation between the raising and facing section and a second silicon layer is created by etching off an intermediate insulating layer positioned between the raising and facing section and the second silicone layer; a step (S4) wherein substrate is collectively pasted to the outer frame section and the raising and facing section; and a step (S5) wherein a floating structure is formed by patterning the second silicon layer and the supporting beam section is divided to isolate the raising and facing section.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif MEMS permettant de fabriquer aisément une structure comprenant une surface de substrat et une surface inférieure d'élément vibrant en regard l'une de l'autre, séparées d'un espace suffisamment étroit. Le procédé de fabrication d'un dispositif MEMS comprend les étapes suivantes : une étape (S1) consistant à préparer un substrat SOI; une étape (S2) consistant à appliquer un motif sur une première couche de silicium et à former une partie cadre extérieur, une partie en regard rehaussée et une partie tige support reliée au niveaux d'au moins trois positions à la partie en regard rehaussée et à la partie cadre extérieur; une étape (S3) consistant à créer une séparation entre la partie en regard rehaussée et une deuxième couche de silicium par élimination par gravure d'une couche isolante intermédiaire entre la partie en regard rehaussée et la deuxième couche de silicium; une étape (S4) consistant à souder un substrat collectivement sur la partie cadre extérieur et la partie en regard rehaussée; et une étape (S5) consistant à former une structure flottante par application d'un motif sur la deuxième couche de silicium et à diviser la partie tige support pour isoler la partie en regard rehaussée.
(JA) 【課題】MEMSデバイスの製造方法において、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を容易に製造可能とする。 【解決手段】MEMSデバイスの製造方法は、SOI基板を用意する工程S1と、第1シリコン層をパターニングして、外枠部と、かさ上げ対向部と、かさ上げ対向部と外枠部の3以上の箇所とをそれぞれ接続する支持梁部とを形成する工程S2と、上記かさ上げ対向部と第2シリコン層との間に位置する中間絶縁層をエッチング除去することによって上記かさ上げ対向部と上記第2シリコン層とが互いに離隔した状態を作り出す工程S3と、上記外枠部および上記かさ上げ対向部に対して一括して基材を貼り付ける工程S4と、上記第2シリコン層をパターニングすることによって浮き構造体を形成し、さらに上記支持梁部を分断して上記かさ上げ対向部を孤立させる工程S5とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011129351