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1. (WO2011129322) 光電変換装置、および光電変換装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/129322 国際出願番号: PCT/JP2011/059066
国際公開日: 20.10.2011 国際出願日: 12.04.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA Corporation [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP (AllExceptUS)
久保 新太郎 KUBO Shintaro [JP/JP]; JP (UsOnly)
鎌田 塁 KAMADA Rui [JP/JP]; JP (UsOnly)
宮道 祐介 MIYAMICHI Yusuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
中澤 秀司 NAKAZAWA Shuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
久保 新太郎 KUBO Shintaro; JP
鎌田 塁 KAMADA Rui; JP
宮道 祐介 MIYAMICHI Yusuke; JP
中澤 秀司 NAKAZAWA Shuji; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; 大阪府大阪市中央区城見1丁目4番70号住友生命OBPプラザビル10階 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001, JP
優先権情報:
2010-09324614.04.2010JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERTER
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置、および光電変換装置の製造方法
要約:
(EN) The object is to improve the conversion efficiency of a photoelectric converter. This object can be achieved by a photoelectric converter comprising an electrode and a semiconductor layer which is provided on a major surface of said electrode and contains a I-III-VI group compound semiconductor, wherein said semiconductor layer comprises a connection layer, said connection layer being located on the major surface side of the electrode and showing a tendency that, the closer to said major surface, the greater is the quotient obtained by dividing the amount of a I-B group element by the amount of a III-B group element.
(FR) L'objectif de l'invention est d'améliorer le rendement de conversion d'un convertisseur photoélectrique. Cet objectif peut être atteint par un convertisseur photoélectrique comprenant une électrode et une couche semi-conductrice placée sur une surface principale de ladite électrode et contenant un semi-conducteur constitué d'un composé du groupe I-III-VI. Ladite couche semi-conductrice comprend une couche de connexion, ladite couche de connexion étant placée sur le côté de la surface principale de l'électrode et présentant une tendance selon laquelle, plus on se rapproche de ladite surface principale, plus le quotient obtenu en divisant la quantité d'un élément du groupe I-B par la quantité d'un groupe III-B est élevé.
(JA)  光電変換装置における変換効率の向上を図る。この目的を達成するために、光電変換装置は、電極と、該電極の一主面の上に配され、I-III-VI族化合物半導体を含む半導体層と、を備える。そして、該半導体層は、電極の一主面側に位置するとともに、前記一主面に近ければ近いほどI-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値が増大する傾向を示す接続層、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130026588JPWO2011129322