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1. (WO2011129246) 単結晶基板、結晶性膜付き単結晶基板、結晶性膜、結晶性膜付き単結晶基板の製造方法、結晶性基板の製造方法、及び素子製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/129246 国際出願番号: PCT/JP2011/058734
国際公開日: 20.10.2011 国際出願日: 06.04.2011
IPC:
C30B 25/18 (2006.01) ,C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C30B 29/38 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
02
被覆される材料の前処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
並木精密宝石株式会社 NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 東京都足立区新田三丁目8番22号 8-22, Shinden 3-chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511, JP (AllExceptUS)
会田 英雄 AIDA, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
青田 奈津子 AOTA, Natsuko [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
会田 英雄 AIDA, Hideo; JP
青田 奈津子 AOTA, Natsuko; JP
代理人:
アイアット国際特許業務法人 IAT WORLD PATENT LAW FIRM; 東京都中野区本町4丁目44-18 ヒューリック中野ビル7階 7th Floor, HULIC Nakano Bldg. 44-18, Honcho 4-chome, Nakano-ku, Tokyo 1640012, JP
優先権情報:
2010-09261413.04.2010JP
2010-14888030.06.2010JP
発明の名称: (EN) SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE, SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE HAVING CRYSTALLINE FILM, CRYSTALLINE FILM, METHOD FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE HAVING CRYSTALLINE FILM, METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING ELEMENT
(FR) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN, SUBSTRAT MONOCRISTALLIN À FILM CRISTALLIN, FILM CRISTALLIN, PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE SUBSTRAT MONOCRISTALLIN À FILM MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE SUBSTRAT CRISTALLIN, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT
(JA) 単結晶基板、結晶性膜付き単結晶基板、結晶性膜、結晶性膜付き単結晶基板の製造方法、結晶性基板の製造方法、及び素子製造方法
要約:
(EN) Provided is a single-crystal substrate for epitaxial growth capable of resulting in the formation of a crystalline film with which stress is controlled or eliminated, and also provided is a single-crystal substrate having a crystalline film, a crystalline film, a method for producing a single-crystal substrate having a crystalline film, a method for producing a crystalline substrate, and a method for producing an element. A single-crystal substrate having a crystalline film is obtained from a single-crystal substrate and a crystalline film that is formed from at least a single-crystalline film and a crystalline film having crystallinity inferior to the single-crystalline film. The single-crystal substrate having a crystalline film is obtained by forming nashiji lacquer (lacquering technique using silver or gold powder or flakes) on at least a portion of the surface of a single-crystal substrate used to form a crystalline film by means of epitaxial growth, and then forming a single-crystalline film on the nashiji-free unlacquered surface by means of epitaxial growth while also forming a crystalline film having crystallinity inferior to the single-crystalline film on the nashiji lacquered surface of the single-crystal substrate by means of epitaxial growth.
(FR) La présente invention concerne un substrat monocristallin pour la croissance épitaxiale capable d'entraîner la formation d'un film cristallin grâce auquel la contrainte est contrôlée ou éliminée, ainsi qu'un substrat monocristallin comprenant un film cristallin, un procédé pour produire un substrat monocristallin comprenant un film cristallin, un procédé pour produire un substrat cristallin, et un procédé pour produire un élément. Un substrat monocristallin comprenant un film cristallin est obtenu à partir d'un substrat monocristallin et d'un film cristallin qui est formé à partir d'au moins un film monocristallin et d'un film cristallin ayant une cristallinité inférieure au film monocristallin. Le substrat monocristallin comprenant un film cristallin est obtenu par la formation d'une laque nashiji (technique de laquage utilisant de la poudre ou des paillettes d'argent ou d'or) sur au moins une partie de la surface d'un substrat monocristallin utilisé pour former un film monocristallin par une croissance épitaxiale, suivie de la formation d'un film monocristallin sur la surface non laquée exempte de nashiji par une croissance épitaxiale tout en formant également un film cristallin ayant une cristallinité inférieure au film monocristallin sur la surface laquée de nashiji du substrat monocristallin par une croissance épitaxiale.
(JA)  応力が抑制又は解消された結晶性膜が形成可能なエピタキシャル成長用単結晶基板、結晶性膜付き単結晶基板、結晶性膜、結晶性膜付き単結晶基板の製造方法、結晶性基板の製造方法、及び素子製造方法の提供。 エピタキシャル成長により形成される結晶性膜の成膜に用いられる単結晶基板表面の少なくとも一部の領域に梨地を形成し、次いで、梨地が形成されていない梨地非形成面上に単結晶性膜をエピタキシャル成長により形成すると共に、単結晶基板の梨地形成面上には単結晶性膜よりも結晶性が劣る結晶性膜をエピタキシャル成長により形成して、少なくとも単結晶性膜及び単結晶性膜よりも結晶性が劣る結晶性膜で構成する結晶性膜と、単結晶基板とで、結晶性膜付き単結晶基板を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2559791US20130022773JPWO2011129246