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1. (WO2011129212) マスクブランク及びインプリント用モールドの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/129212 国際出願番号: PCT/JP2011/058508
国際公開日: 20.10.2011 国際出願日: 04.04.2011
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,B29C 33/38 (2006.01) ,G11B 5/84 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
33
型またはコア;その細部または付属装置
38
材料または製造方法に特微があるもの
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84
記録担体の製造に特に適合する方法または装置
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1618525, JP (AllExceptUS)
野澤 順 NOZAWA, Osamu [JP/JP]; JP (UsOnly)
橋本 雅広 HASHIMOTO, Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
野澤 順 NOZAWA, Osamu; JP
橋本 雅広 HASHIMOTO, Masahiro; JP
代理人:
池田 憲保 IKEDA, Noriyasu; 東京都千代田区内幸町1丁目2番2号 日比谷ダイビル Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011, JP
優先権情報:
2010-09467916.04.2010JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK AND PROCESS FOR PRODUCTION OF MOLD FOR IMPRINTING USE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MOULE POUR UTILISATION EN IMPRESSION EN CREUX
(JA) マスクブランク及びインプリント用モールドの製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a mask blank which enables the formation of a fine mold pattern with high pattern accuracy in the production of a mold for imprinting use. Specifically disclosed is a mask blank (10) comprising a light-permeable substrate (1) and a thin film (2) formed in contact with the surface of the substrate, wherein the thin film (2) comprises a laminated film, and wherein the laminated film is composed of an upper layer (4) which comprises a material containing silicon (Si) or a material containing tantalum (Ta) and a lower layer (3) which comprises a material containing at least one of hafnium (Hf) and zirconium (Zr) and containing substantially no oxygen.
(FR) L'invention concerne une ébauche de masque qui permet de former un motif de moule fin et d'une grande précision pour la fabrication d'un moule à utiliser dans l'impression en creux. L'ébauche de masque (10) spécifiquement décrite comprend un substrat perméable à la lumière (1) et un film mince (2) formé en contact avec la surface du substrat. Le film mince (2) comprend un film stratifié composé d'une couche supérieure (4) comprenant un matériau contenant du silicium (Si) ou un matériau contenant du tantale (Ta) et d'une couche inférieure (3) comprenant un matériau contenant du hafnium (Hf) et/ou du zirconium (Zr) et ne contenant sensiblement pas d'oxygène.
(JA)  インプリント用モールドの製造において微細なモールドパターンを高いパターン精度で形成することができるマスクブランクを提供する。 透光性基板1と該基板の表面に接して形成された薄膜2とを有するマスクブランク10であって、上記薄膜2は、ケイ素(Si)を含有する材料、またはタンタル(Ta)を含有する材料で形成された上層4と、ハフニウム(Hf)およびジルコニウム(Zr)のうちの少なくとも一方を含有し、かつ酸素を実質的に含有しない材料で形成された下層3との積層膜からなる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130105441KR1020130054958