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1. (WO2011129089) スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/129089 国際出願番号: PCT/JP2011/002120
国際公開日: 20.10.2011 国際出願日: 11.04.2011
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C22C 21/12 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
21
アルミニウム基合金
12
次に多い成分として銅を含むもの
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
萩原 淳一郎 HAGIHARA, Junichirou [JP/JP]; JP (UsOnly)
東 秀一 HIGASHI, Shuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
神原 正三 KAMBARA, Shozo [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
萩原 淳一郎 HAGIHARA, Junichirou; JP
東 秀一 HIGASHI, Shuichi; JP
神原 正三 KAMBARA, Shozo; JP
代理人:
大森 純一 OMORI, Junichi; 東京都港区赤坂7-5-47 U&M赤坂ビル2F 2nd Floor U&M Akasaka Bldg., 7-5-47 Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2010-09373215.04.2010JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CIBLE DE PULVÉRISATION ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット
要約:
(EN) Disclosed is a sputtering target which combines the crystal properties required in a target and the mechanical strength required in a backing plate, and a manufacturing method for same. In one embodiment of the manufacturing method of the sputtering target, a supporting member (12) is formed by drawing the peripheral parts of a metal plate (100) while same is maintained at or below a specified temperature. The specified temperature is set at, for example, a temperature suitable for controlling the relaxation of internal stresses as a result of annealing. Introducing drawing as a method of forming the supporting member (12) allows internal stresses to be applied to the entirety thereof. Thus, the strength of the entire supporting member (12) can be increased by work hardening. Further, as the process prevents any temperature increase that would exceed the specified temperature for the supporting member (12), any decrease in the hardness of the supporting member due to crystalline structure recovery is suppressed.
(FR) La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui combine les propriétés du cristal nécessaires dans une cible et la résistance mécanique nécessaire dans une plaque de maintien, ainsi que son procédé de fabrication. Dans un mode de réalisation du procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation, un élément de support (12) est formé en défournant les parties périphériques d'une plaque en métal (100) et en les maintenant à une température spécifiée ou en dessous de celle-ci. La température spécifiée est, par exemple, une température adaptée pour commander le relâchement de contraintes internes produites par un recuit. L'introduction d'un défournement comme procédé de formation de l'élément de support (12) permet d'appliquer les contraintes internes à l'ensemble de l'élément. La résistance de l'ensemble de l'élément de support (12) peut donc être accrue par le biais d'un travail de durcissement. De plus, toute réduction de dureté de l'élément de support due à un retour à la structure cristalline est supprimée étant donné que le procédé empêche toute augmentation de température qui excéderait la température spécifiée pour l'élément de support (12).
(JA) 【課題】ターゲットとして要求される結晶特性とバッキングプレートとして要求される機械的強度を兼ね備えたスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、支持部12の形成に際して、金属板100を所定温度以下に維持しながら金属板100の周縁部をスピニング加工する。上記所定温度は、例えば、焼きなまし効果による内部応力の緩和を抑制できる適宜の温度に設定される。支持部の形成にスピニング加工法を採用することで、支持部12全域に応力を付加することができる。これにより加工硬化による支持部12全体の強度向上を図ることができる。また、加工に伴う支持部12の所定温度を超える温度上昇が阻止されるため、結晶組織の回復による支持部12の硬度の低下が抑制される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN102753722JPWO2011129089