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1. (WO2011126094) 半導体発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/126094 国際出願番号: PCT/JP2011/058850
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 07.04.2011
IPC:
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
三菱化学株式会社 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目1番1号 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251, JP (AllExceptUS)
堀江 秀善 HORIE Hideyoshi; null (UsOnly)
海老原 渉 EBIHARA Wataru; null (UsOnly)
青柳 正史 AOYAGI Masashi; null (UsOnly)
樹神 弘也 KODAMA Hiroya; null (UsOnly)
勝本 覚成 KATSUMOTO Tadahiro; null (UsOnly)
発明者:
堀江 秀善 HORIE Hideyoshi; null
海老原 渉 EBIHARA Wataru; null
青柳 正史 AOYAGI Masashi; null
樹神 弘也 KODAMA Hiroya; null
勝本 覚成 KATSUMOTO Tadahiro; null
代理人:
濱田 百合子 HAMADA Yuriko; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング10階 栄光特許事務所 Eikoh Patent Firm Toranomon East Bldg. 10F 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2010-09042209.04.2010JP
2011-07619930.03.2011JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 半導体発光装置
要約:
(EN) Disclosed is a semiconductor light emitting device wherein light extraction from a chip which outputs light mainly in the horizontal direction can be utilized to a maximum extent. The semiconductor light emitting device has the semiconductor light emitting element, a case section, and a sealing material. The semiconductor light emitting element has a substrate, a semiconductor layer section, and an electrode section, and the element has a maximum physical thickness of temax as a whole. The case section has a recessed section for housing the semiconductor light emitting element, and the depth (Dp) to the element mounting surface of the recessed section satisfies the inequality of temaxp. The semiconductor light emitting element is mounted such that the opening direction of the recessed section and the direction of the substrate main surface substantially match, and the sealing material is formed to have a protruding portion in the direction which the substrate main surface faces. When the semiconductor light emitting device is viewed in air from the direction perpendicular to the direction which the substrate main surface faces, at least a part of the side wall of the semiconductor light emitting element can be viewed through the protruding portion.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur électroluminescent dans lequel l'extraction de la lumière à partir d'une puce qui produit de la lumière principalement dans la direction horizontale peut être exploitée au maximum. Le dispositif semi-conducteur électroluminescent comprend un élément semi-conducteur électroluminescent, une section boîtier et un matériau de scellement. L'élément semi-conducteur électroluminescent comprend un substrat, une section de couche semi-conductrice et une section d'électrode et l'élément possède une épaisseur physique maximale de temax au total. La section boîtier possède une section en décrochement pour recevoir l'élément semi-conducteur électroluminescent et la profondeur (Dp) jusqu'à la surface de montage d'élément de la section en décrochement satisfait l'inégalité temax < Dp. L'élément semiconducteur électroluminescent est monté de manière à ce que la direction d'ouverture de la section en décrochement et la direction de la surface principale du substrat coïncident sensiblement. Le matériau de scellement est formé de manière à avoir une partie en saillie dans la direction dans laquelle fait face la surface principale du substrat. Lorsque le dispositif semiconducteur électroluminescent est observé dans l'air selon une direction perpendiculaire à la direction dans laquelle fait face la surface principale du substrat, au moins une partie de la paroi latérale de l'élément semiconducteur électroluminescent peut être observée au travers de la partie en saillie.
(JA)  本発明は、主として横方向に光を出射するチップの光取出しを最大限に活用できる半導体発光装置を提供することを目的とする。本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子、ケース部、および封止材を有する。半導体発光素子は、基板、半導体層部、および電極部を有し、かつ素子全体の最大物理厚みがtemaxであり、ケース部は、半導体発光素子を内包するための凹部を有し、その凹部の素子実装面までの深さDはtemax<Dを満たす。半導体発光素子は、凹部の開口方向と、基板主面の方向とが略同じになるように搭載されており、前記封止材は、前記基板主面が向いている方向に対して凸部を有するように形成されている。当該半導体発光装置を、空気中で、前記基板主面が向いている方向に対して垂直の方向から見た際に、前記凸部を通じて、半導体発光素子の側壁の少なくとも一部が視認できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)