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1. (WO2011126076) 薄膜トランジスタ基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/126076 国際出願番号: PCT/JP2011/058822
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 07.04.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,C08G 73/10 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73
グループ12/00~71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
06
高分子の主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
10
ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
出願人:
大日本印刷株式会社 DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 1-1, Ichigaya-kagacho 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1628001, JP (AllExceptUS)
福田 俊治 FUKUDA, Shunji [JP/JP]; JP (UsOnly)
坂寄 勝哉 SAKAYORI, Katsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
在原 慶太 ARIHARA, Keita [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
福田 俊治 FUKUDA, Shunji; JP
坂寄 勝哉 SAKAYORI, Katsuya; JP
在原 慶太 ARIHARA, Keita; JP
代理人:
山下 昭彦 YAMASHITA, Akihiko; 東京都中央区京橋一丁目16番10号 オークビル京橋3階 東京セントラル特許事務所内 c/o TOKYO CENTRAL PATENT FIRM, 3rd Floor, Oak Building Kyobashi, 16-10, Kyobashi 1-chome, Chuou-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2010-09095109.04.2010JP
2010-09098809.04.2010JP
2010-09098909.04.2010JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタ基板
要約:
(EN) Disclosed is a thin-film transistor substrate with excellent switching characteristics. The thin-film transistor substrate is provided with a substrate and a thin-film transistor that is formed upon the abovementioned substrate and that has an oxide semiconductor layer comprising an oxide semiconductor and semiconductor layer-contacting insulation layers formed in a manner so as to be in contact with the abovementioned oxide semiconductor layer; and the thin-film transistor substrate is characterized in that at least one of the semiconductor layer-contacting insulation layers included in the abovementioned thin-film transistor is a photosensitive polyimide insulation layer formed using a photosensitive polyimide resin composition.
(FR) L'invention concerne un substrat de transistor à couches minces offrant d'excellentes caractéristiques de commutation. Le substrat de transistor à couches minces comprend un substrat et un transistor à couches minces qui est formé sur ledit substrat et qui possède une couche d'oxyde semiconducteur comprenant un oxyde semiconducteur et des couches isolantes destinées à être en contact avec la couche semiconductrice et formées de manière à entrer en contact avec ladite couche d'oxyde semiconducteur ; et le substrat de transistor à couches minces est caractérisé en ce qu'au moins l'une des couches isolantes destinées à être en contact avec la couche semiconductrice comprises dans le transistor à couches minces est une couche d'isolation en polyimide photosensible formée à l'aide d'une composition de résine polyimide photosensible.
(JA)  本発明は、スイッチング特性に優れたTFT基板を提供することを主目的とする。 本発明は、基板と、上記基板上に形成され、酸化物半導体からなる酸化物半導体層および上記酸化物半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記薄膜トランジスタに含まれる半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)