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1. (WO2011125878) 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125878 国際出願番号: PCT/JP2011/058289
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 31.03.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, Inc. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
茶谷 宏紀 CHATANI Hironori [JP/JP]; JP (UsOnly)
浅利 伸 ASARI Shin [JP/JP]; JP (UsOnly)
橋本 征典 HASHIMOTO Masanori [JP/JP]; JP (UsOnly)
朝比奈 伸一 ASAHINA Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
今北 健一 IMAKITA Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐見津 祥二 SAMITSU Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
小林 忠正 KOBAYASHI Tadamasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
若井 雅文 WAKAI Masafumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
植 喜信 UE Yoshinobu [JP/JP]; JP (UsOnly)
若松 貞次 WAKAMATSU Sadatsugu [JP/JP]; JP (UsOnly)
斎藤 一也 SAITO Kazuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
茶谷 宏紀 CHATANI Hironori; JP
浅利 伸 ASARI Shin; JP
橋本 征典 HASHIMOTO Masanori; JP
朝比奈 伸一 ASAHINA Shinichi; JP
今北 健一 IMAKITA Kenichi; JP
佐見津 祥二 SAMITSU Shoji; JP
小林 忠正 KOBAYASHI Tadamasa; JP
若井 雅文 WAKAI Masafumi; JP
植 喜信 UE Yoshinobu; JP
若松 貞次 WAKAMATSU Sadatsugu; JP
斎藤 一也 SAITO Kazuya; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
優先権情報:
2010-08618102.04.2010JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCTION OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
要約:
(EN) A photoelectric conversion device comprising: a substrate on which a transparent conductive film is formed; a pin-type first photoelectric conversion unit which comprises a first p-type semiconductor layer comprising an amorphous silicon thin film, a first substantially intrinsic i-type semiconductor layer and a first n-type semiconductor layer laminated in this order on the transparent conductive film; a pin-type second photoelectric conversion unit which comprises a second p-type semiconductor layer comprising a crystalline silicon thin film, a second substantially intrinsic i-type semiconductor layer and a second n-type semiconductor layer comprising an amorphous silicon thin film laminated in this order on the first photoelectric conversion unit; and a backside electrode which is formed on the second photoelectric conversion unit.
(FR) L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique comprenant : un substrat sur lequel un film conducteur transparent est formé ; une première unité de conversion photoélectrique de type pin qui comprend une première couche semi-conductrice de type p comprenant un film mince de silicium amorphe, une première couche semi-conductrice sensiblement intrinsèque, de type i, et une première couche semi-conductrice de type n, stratifiées dans cet ordre sur le film conducteur transparent ; une seconde unité de conversion photoélectrique de type pin qui comprend une seconde couche semi-conductrice de type p comprenant un film mince de silicium cristallin, une seconde couche semi-conductrice sensiblement intrinsèque, de type i, et une seconde couche semi-conductrice de type n, comprenant un film mince de silicium amorphe, stratifiées dans cet ordre sur la première unité de conversion photoélectrique ; et une électrode postérieure qui est formée sur la seconde unité de conversion photoélectrique.
(JA)  この光電変換装置は、透明導電膜が形成された基板と;前記透明導電膜の上に、アモルファスのシリコン系薄膜からなる、第1のp型半導体層と、第1の実質的に真性なi型半導体層と、第1のn型半導体層とを順に積層して形成されたpin型の第一光電変換ユニットと;前記第一光電変換ユニットの上に、結晶質のシリコン系薄膜からなる第2のp型半導体層と第2の実質的に真性なi型半導体層と、アモルファスのシリコン系薄膜からなる第2のn型半導体層とを順に積層して形成されたpin型の第二光電変換ユニットと;前記第二光電変換ユニットの上に形成された裏面電極と;を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011125878