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1. (WO2011125839) レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125839 国際出願番号: PCT/JP2011/058221
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 31.03.2011
IPC:
G03F 7/11 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 1-9-2, Higashi-Shinbashi, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP (AllExceptUS)
中藤 慎也 NAKAFUJI, Shinya [JP/JP]; JP (UsOnly)
峯岸 信也 MINEGISHI, Shinya [JP/JP]; JP (UsOnly)
香村 和彦 KOMURA, Kazuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
中野 孝徳 NAKANO, Takanori [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中藤 慎也 NAKAFUJI, Shinya; JP
峯岸 信也 MINEGISHI, Shinya; JP
香村 和彦 KOMURA, Kazuhiko; JP
中野 孝徳 NAKANO, Takanori; JP
代理人:
渡邉 一平 WATANABE, Kazuhira; 東京都台東区浅草橋3丁目20番18号 第8菊星タワービル3階 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building, 20-18, Asakusabashi 3-chome, Taito-ku, Tokyo 1110053, JP
優先権情報:
2010-08135231.03.2010JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM AND PATTERN FORMING METHOD
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
要約:
(EN) A composition for forming a resist underlayer film, from which a resist underlayer film having excellent etching resistance and so on can be formed, comprising at least one member selected from the group consisting of photopolymerizable compounds represented by general formula (1) and general formula (2) together with a solvent. In general formulae (1) and (2), R11, R12 and R13 represent a hydrogen atom, etc.; R3 represents an n1-valent group derived from an aromatic compound; R4 represents a hydrogen atom, etc.; R5 represents a monovalent organic group derived from an aromatic compound; R6 represents an n2-valent organic group; X represents -COO-* [wherein * represents a bond binding to R6], etc.; n1 represents an integer of 2 to 4; and n2 represents an integer of 2 to 10.
(FR) La présente invention a trait à une composition permettant de former un film de sous-couche de réserve, qui présente notamment une excellente résistance à la gravure, et comprenant au moins un élément sélectionné dans le groupe constitué par des composés photopolymérisables représentés par la formule générale (1) et la formule générale (2), ainsi que par un solvant. Dans les formules générales (1) et (2), R11, R12 et R13 représentent un atome d'hydrogène, etc.; R3 représente un groupe n1-valent dérivé d'un composé aromatique; R4 représente un atome d'hydrogène, etc.; R5 représente un groupe organique monovalent dérivé d'un composé aromatique; R6 représente un groupe organique n2-valent; X représente -COO-* [où * représente une liaison se liant à R6], etc.; n1 représente un nombre entier compris entre 2 et 4 inclus; et n2 représente un nombre entier compris entre 2 et 10 inclus.
(JA)  エッチング耐性などに優れるレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物であり、下記一般式(1)及び下記一般式(2)で表される光重合性化合物からなる群より選択される少なくとも一種と溶剤とを有するレジスト下層膜形成用組成物。(一般式(1)及び一般式(2)中、R11、R12、R13は水素原子など、Rは芳香族化合物から誘導されるn1価の基を示す。Rは水素原子など、Rは芳香族化合物から誘導される1価の有機基、Rはn2価の有機基を示す。Xは-COO-*など(「*」はRに結合する結合手を示す。n1は2~4の整数、n2は2~10の整数を示す。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011125839