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1. (WO2011125677) 固体撮像素子及び撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125677 国際出願番号: PCT/JP2011/057900
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 29.03.2011
IPC:
H04N 5/3745 (2011.01) ,H01L 27/14 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
3745
1つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031, JP (AllExceptUS)
後藤 崇 GOTO Takashi; null (UsOnly)
発明者:
後藤 崇 GOTO Takashi; null
代理人:
高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; 東京都港区西新橋一丁目7番13号虎ノ門イーストビルディング9階 航栄特許事務所 Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2010-08440831.03.2010JP
2010-24481929.10.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 固体撮像素子及び撮像装置
要約:
(EN) Disclosed is a laminated solid-state image pickup element, whereby picked-up image signals having high qualities and a high S/N ratio can be obtained. The solid-state image pickup element (100) has: effective pixels (1a), each of which includes a photoelectric conversion element (P); and OB pixels (2a) for acquiring dark-time output from the photoelectric conversion element (P). The photoelectric conversion element (P) includes a pair of electrodes (14, 16), which are provided above a semiconductor substrate (10), and a photoelectric conversion layer (15), which is provided between the electrodes (14, 16). Each of the effective pixels (1a) includes a signal readout circuit (11), which is formed on the semiconductor substrate (10), and which reads out signals corresponding to charges generated in the photoelectric conversion element (P), and each of the OB pixels (2a) includes a signal readout circuit (11') having a configuration equivalent to that of the signal readout circuit (11). The signal readout circuit (11) and the signal readout circuit (11') are both shielded from light, the input node of the signal readout circuit (11) is electrically connected to the pixel electrode (14) of the photoelectric conversion element (P), and the input node of the signal readout circuit (11') is connected to a capacitor (19).
(FR) L'invention porte sur un élément de capture d'image à semi-conducteurs stratifié, par lequel des signaux d'image capturés ayant des qualités élevées et un rapport signal/bruit (S/N) élevé peuvent être obtenus. L'élément de capture d'image à semi-conducteurs (100) comporte : des pixels efficaces (1a), dont chacun comprend un élément de conversion photoélectrique (P) ; et des pixels OB (2a) pour acquérir une sortie de temps d'obscurité à partir de l'élément de conversion photoélectrique (P). L'élément de conversion photoélectrique (P) comprend une paire d'électrodes (14, 16), qui sont disposées au-dessus d'un substrat semi-conducteur (10), et une couche de conversion photoélectrique (15), qui est disposée entre les électrodes (14, 16). Chacun des pixels efficaces (1a) comprend un circuit de lecture de signal (11), qui est formé sur le substrat semi-conducteur (10), et qui lit des signaux correspondant à des charges générées dans l'élément de conversion photoélectrique (P), et chacun des pixels OB (2a) comprend un circuit de lecture de signal (11') ayant une configuration équivalente à celle du circuit de lecture de signal (11). Le circuit de lecture de signal (11) et le circuit de lecture de signal (11') sont tous les deux protégés vis-à-vis de la lumière, et le nœud d'entrée du circuit de lecture de signal (11) est connecté électriquement à l'électrode de pixel (14) de l'élément de conversion photoélectrique (P), et le nœud d'entrée du circuit de lecture de signal (11') est connecté à un condensateur (19).
(JA)  高品質、高S/Nの撮像画像信号を得ることができる積層型の固体撮像素子を提供する。 光電変換素子Pを含む有効画素1aと、光電変換素子Pの暗時出力を取得するためのOB画素2aとを有する固体撮像素子100であって、光電変換素子Pは、半導体基板10上方に設けられた一対の電極14,16と、電極14,16の間に設けられた光電変換層15とを含んで構成され、有効画素1aは、半導体基板10に形成され、光電変換素子Pで発生した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し回路11を含み、OB画素2aは、信号読み出し回路11と同じ構成の信号読み出し回路11'を含む。信号読み出し回路11と信号読み出し回路11'はそれぞれ遮光されており、信号読み出し回路11の入力ノードは、光電変換素子Pの画素電極14と電気的に接続され、信号読み出し回路11'の入力ノードは、キャパシタ19に接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130015328KR1020130012952