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1. (WO2011125571) レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125571 国際出願番号: PCT/JP2011/057530
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 28.03.2011
IPC:
G03F 7/32 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区中落合二丁目7番5号 7-5, Nakaochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1618525, JP (AllExceptUS)
井山 博雅 IYAMA Hiromasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
小林 英雄 KOBAYASHI Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
井山 博雅 IYAMA Hiromasa; JP
小林 英雄 KOBAYASHI Hideo; JP
代理人:
阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo; 東京都千代田区飯田橋四丁目6番1号 21東和ビル3F 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072, JP
優先権情報:
2010-08139431.03.2010JP
発明の名称: (EN) RESIST DEVELOPER, METHOD FOR FORMING A RESIST PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING A MOLD
(FR) DÉVELOPPATEUR DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MOULE
(JA) レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法
要約:
(EN) The disclosed resist developer is used when developing by irradiating an energy beam onto a resist layer containing a polymer of α-chloro methacrylate and α-methylstyrene for rendering or exposure, and contains a fluorocarbon-containing solvent (A) and an alcohol solvent (B), the latter of which has higher solubility relative to the resist layer than the former.
(FR) Le développateur de réserve présenté est utilisé lors d'un développement par diffusion d'un faisceau d'énergie sur une couche de réserve contenant un polymère de α-chloro méthacrylate et de α-méthylstyrène permettant un rendu ou une exposition, et il contient un solvant contenant du fluorocarbone (A) et un solvant à l'alcool (B), ce dernier présentant une meilleure solubilité par rapport à la couche de réserve que le précédent.
(JA)  α-クロロメタクリレートとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して描画又は露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Bとを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130078578KR1020130023226