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1. (WO2011125550) 窒化処理方法及び窒化処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125550 国際出願番号: PCT/JP2011/057401
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 25.03.2011
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
山崎 和良 YAMAZAKI Kazuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
山崎 和良 YAMAZAKI Kazuyoshi; JP
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
代理人:
高山 宏志 TAKAYAMA Hiroshi; 東京都世田谷区太子堂一丁目12番39号 三軒茶屋堀商ビル2階 Sangenjaya Horisho Bldg. 2F, 1-12-39 Taishido, Setagaya-ku, Tokyo 1540004, JP
優先権情報:
2010-08190931.03.2010JP
発明の名称: (EN) NITRIDING TREATMENT METHOD AND NITRIDING TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE NITRURATION ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE NITRURATION
(JA) 窒化処理方法及び窒化処理装置
要約:
(EN) A nitriding treatment device (100) is provided with: a chamber (1) which houses the item to be treated; a gas introduction member (15) which introduces nitrogen-containing gas into the chamber (1) from a gas introduction mechanism; a plasma generating mechanism (39) which generates plasma in the chamber (1) wherein nitrogen-containing gas has been supplied; a stage (2) which is provided inside the chamber (1), is where the item to be treated is placed, and which heats the item to be treated; and a temperature control mechanism (60) which is provided on the stage (2) and which controls the temperature of the stage (2). The nitriding treatment device (100) further comprises a control unit (50) which uses the plasma generating mechanism (39) to generate plasma from the nitrogen-containing gas in the chamber (1), maintains the temperature of the stage (2) to be constant within a stage temperature range which can increase due to the heat input from the plasma to the stage (2) due to the plasma generating mechanism (39), and controls so as to introduce an appropriate nitrogen dose amount by nitriding the treatment surface of the item to be treated (W) by means of the plasma.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de nitruration (100) qui est équipé de : une chambre (1) qui reçoit la pièce à traiter ; un élément (15) d'introduction de gaz qui permet d'introduire un gaz contenant l'azote dans la chambre (1) à partir d'un mécanisme d'introduction de gaz ; un mécanisme (39) de génération de plasma qui permet de générer un plasma dans la chambre (1) dans laquelle le gaz contenant de l'azote a été introduit ; un plateau (2) qui est disposé à l'intérieur de la chambre (1), sur lequel la pièce à traiter est placée et qui permet de chauffer la pièce à traiter ; et un mécanisme (60) de régulation thermique qui est disposé sur le plateau (2) et qui régule la température du plateau (2). Le dispositif de traitement de nitruration (100) comprend en outre une unité de commande (50) qui utilise le mécanisme (39) de génération de plasma pour générer un plasma à partir du gaz contenant de l'azote dans la chambre (1), maintient constante la température du plateau (2) à l'intérieur d'une plage de températures de plateau qui peut augmenter en raison de la chaleur amenée par le plasma au plateau (2) en raison du mécanisme (39) de génération de plasma, et commande de façon à introduire une quantité de dose d'azote appropriée par nitruration de la surface de traitement de la pièce à traiter (W) au moyen du plasma.
(JA)  窒化処理装置(100)は、被処理体を収容するチャンバ(1)と、チャンバ内にガス導入機構からの窒素を含むガスを導入するガス導入部材(15)と、窒素を含むガスが供給されたチャンバ(1)内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構(39)と、チャンバ(1)内に設けられ、被処理体(W)を載置するとともに加熱するステージ(2)と、ステージ(2)に設けられ、該ステージ(2)の温度を制御する温度制御機構(60)と、を備えている。さらに、窒化処理装置(100)は、プラズマ発生機構(39)を用いてチャンバ(1)内に窒素を含むガスのプラズマを発生させるとともに、ステージ(2)の温度をプラズマ発生機構(39)によりステージ(2)へのプラズマからの入熱によって上昇し得るステージの温度範囲内で一定に保ち、被処理体(W)の被処理面を上記プラズマにより窒化処理することにより最適な窒素ドーズ量を導入するように制御する制御部(50)を有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)