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1. (WO2011125407) フォトマスクユニット及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125407 国際出願番号: PCT/JP2011/055602
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 10.03.2011
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
信越化学工業株式会社 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
秋山 昌次 AKIYAMA Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
久保田 芳宏 KUBOTA Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
秋山 昌次 AKIYAMA Shoji; JP
久保田 芳宏 KUBOTA Yoshihiro; JP
代理人:
大石 皓一 OISHI Koichi; 東京都千代田区神田須田町1丁目10番地 神田ONビル2階 2nd Floor, Kanda-ON Building, 1-10, Kandasudacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041, JP
優先権情報:
2010-08636802.04.2010JP
発明の名称: (EN) PHOTOMASK UNIT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) UNITÉ DE PHOTOMASQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) フォトマスクユニット及びその製造方法
要約:
(EN) Provided is a photomask unit which is suitable for forming fine patterns under 32 nm onto a photoresist film by using EUV exposure technology, and is capable of reliably preventing deterioration of the evenness of the photomask. The photomask unit (1) includes a pellicle film (6), a pellicle frame (7) which has adhered thereto the side neighboring area of the pellicle film (6), a photomask (2), and a stage (3) which has fixed on one surface thereto the photomask (2) and the pellicle frame (7); the pellicle frame (7) is fixed to the stage (3) more to the outside than the area of the stage (3) on which the photomask (2) is fixed.
(FR) L'invention porte sur une unité de photomasque, qui convient à la formation de structures fines, inférieures à 32 nm, sur un film de photoréserve par l'utilisation de la technologie d'exposition à des UVE, et qui est capable d'empêcher d'une manière fiable une détérioration de la planéité du photomasque. L'unité de photomasque comprend un film pelliculaire (6), un cadre de pellicule (7), auquel adhère une zone latérale du film pelliculaire (6), un photomasque (2) et une platine (3), sur une surface de laquelle sont fixés le photomasque (2) et le cadre de pellicule (7) ; le cadre de pellicule (7) est fixé à la platine (3) plus à l'extérieur que la zone de la platine (3) sur laquelle est fixé le photomasque (2).
(JA)  本発明は、EUV露光技術を使用して、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成するのに適し、フォトマスクの平坦度が悪化することを確実に防止することができるフォトマスクユニットを提供することを目的とする。 本発明にかかるフォトマスクユニット1は、ペリクル膜6と、その一方の表面に、ペリクル膜6の側部近傍領域が貼り付けられたペリクルフレーム7と、フォトマスク2と、その一方の表面に、フォトマスク2とペリクルフレーム7とが固定されたステージ3とを含み、ペリクルフレーム7が、フォトマスク2が固定されたステージ3の領域よりも外側で、ステージ3に固定されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2555052CN102822744JPWO2011125407KR1020130024878