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1. (WO2011125335) パターン形成方法及びパターン基板製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125335 国際出願番号: PCT/JP2011/002087
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 08.04.2011
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,B29C 59/02 (2006.01) ,C08F 2/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
59
表面成形,例.エンボス;そのための装置
02
機械的手段,例.プレス,によるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
2
重合方法
46
波動エネルギーまたは粒子線の照射によって開始される重合
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP (AllExceptUS)
大松禎 OMATSU, Tadashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
若松哲史 WAKAMATSU, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
大松禎 OMATSU, Tadashi; JP
若松哲史 WAKAMATSU, Satoshi; JP
代理人:
柳田征史 YANAGIDA, Masashi; 神奈川県横浜市港北区新横浜3-18-3 新横浜KSビル 7階 柳田国際特許事務所 YANAGIDA & Associates 7F, Shin-Yokohama KS Bldg. 3-18-3, Shin-Yokohama, Kohoku-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2220033, JP
優先権情報:
2010-09008009.04.2010JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD AND PATTERN SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT À MOTIF
(JA) パターン形成方法及びパターン基板製造方法
要約:
(EN) Disclosed are a pattern forming method that forms, by an imprint method, a high-resolution pattern that is highly resilient to etching, said pattern forming method being suited to mass production, and a pattern substrate manufacturing method using same. On a substrate (10), a resist layer (20m) (which may include unavoidable impurities) is formed, which is made of a resist composition (20) that includes a polymerizable compound (21) containing polyfunctional monomers that make a polymer having a three-dimensional structure cross-linked by polymerization; and a polymerization initiator (I) that activates by either light or electron beams. An uneven surface of a mold (30), having a prescribed uneven pattern on the surface thereof, is contact pressed upon the resist layer (20m). Light (L1) is projected upon the resist layer (20m), curing the resist layer (20m), and the mold (30) is removed from the resist layer (20m) when the temperature of the resist layer (20m) is greater than or equal to 40 degrees C.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation de motif qui forme, par procédé de surimpression, un motif à haute définition fortement résilient à la gravure, ledit procédé de formation de motif étant approprié à une production en grande série. L'invention concerne également un procédé de fabrication de substrat à motif utilisant ledit procédé de formation de motif. Les éléments suivants sont formés sur un substrat (10) : une couche de réserve (20m) (pouvant contenir des impuretés inévitables), constituée d'une composition de réserve (20) qui comprend un composé polymérisable (21) contenant des monomères polyfonctionnels permettant la réticulation par polymérisation d'un polymère doté d'une structure tridimensionnelle; et un initiateur de polymérisation (I), activé par faisceau lumineux ou par faisceau électronique. Une surface irrégulière d'un moule (30), présentant sur sa surface un motif irrégulier prescrit, est mise en contact par pression sur la couche de réserve (20m). De la lumière (L1) est projetée sur la couche de réserve (20m), durcissant la couche de réserve (20m), puis le moule (30) est retiré de la couche de réserve (20m) lorsque la température de la couche de réserve (20m) est supérieure ou égale à 40 °C.
(JA) 【課題】インプリント法により、エッチング耐性に優れた高精細なパターンを量産性良く形成する。 【解決手段】基板(10)上に、重合により架橋して三次元構造を有する重合体となる多官能単量体を含む重合性化合物(21)と、光又は電子線により活性化する重合開始剤(I)とを含むレジスト組成物(20)からなる(不可避不純物を含んでもよい)レジスト層(20m)を形成し、レジスト層(20m)に、表面に所定の凹凸パターンを有する鋳型(30)の凹凸表面を圧接し、レジスト層(20m)に光(L1)を照射してレジスト層(20m)を硬化させ、レジスト層(20m)の温度が40℃以上となる条件で鋳型(30)をレジスト層(20m)から剥離する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)