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1. (WO2011125292) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125292 国際出願番号: PCT/JP2011/001554
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 16.03.2011
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
森本 直樹 MORIMOTO, Naoki [JP/JP]; JP (UsOnly)
石田 正彦 ISHIDA, Masahiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
森本 直樹 MORIMOTO, Naoki; JP
石田 正彦 ISHIDA, Masahiko; JP
代理人:
特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 東京都品川区西五反田8-1-14 最勝ビル9階 9th Fl., Saisho Bldg. 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
優先権情報:
2010-08606302.04.2010JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING APPARATUS AND SPUTTERING METHOD
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION
(JA) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
要約:
(EN) Disclosed is a sputtering apparatus which is provided with: a vacuum chamber wherein a target is disposed; a power supply which supplies power to the target; a gas introducing means; an air-releasing means; and a substrate holding means which holds a substrate to be processed. The substrate holding means has: a chuck main body having positive and negative electrodes; a chuck plate having a plurality of supporting sections, which are provided at predetermined intervals on a rib portion where the outer circumferential end portion of the substrate can be in surface-contact therewith, and in an inner space surrounded by the rib portion; and a direct current power supply which applies a direct current voltage to between the electrodes. In the sputtering apparatus, variance of film thickness among the substrates is suppressed. The sputtering apparatus has an alternating current power supply (64b), which supplies an alternating current that flows through the capacitance of the chuck plate (62), and a measuring means (A), which measures the alternating current. The apparatus is also provided with a control means, which controls pressure in a vacuum chamber (1) such that the alternating current value measured by the measuring means is kept at a predetermined value, at the time of forming a predetermined thin film on the surface of the substrate by introducing a predetermined gas into the vacuum chamber, applying power to the target (2), and sputtering the target.
(FR) La présente invention concerne un appareil de pulvérisation qui est pourvu de : une chambre de vide dans laquelle une cible est disposée ; une alimentation électrique qui alimente la cible en courant ; un moyen d'introduction de gaz ; un moyen de libération d'air ; et un moyen de maintien de substrat qui maintient le substrat à traiter. Le moyen de maintien de substrat a : un corps principal de griffe ayant des électrodes positive et négative ; une plaque de griffe ayant une pluralité de sections de support qui sont prévues à intervalles prédéterminés sur une partie de nervure où la partie d'extrémité circonférentielle extérieure du substrat peut être en contact superficiel avec elle, et dans un espace intérieur entouré par la partie de nervure ; et une alimentation électrique en courant continu qui applique une tension de courant continu entre les électrodes. L'appareil de pulvérisation permet de supprimer les variations d'épaisseur de film entre les substrats. L'appareil de pulvérisation est équipé d'une alimentation électrique en courant alternatif (64b) qui fournit un courant alternatif qui circule à travers la capacité de la plaque de griffe (62), et un moyen de mesure (A) qui mesure le courant alternatif. L'appareil est également pourvu d'un moyen de commande qui commande la pression dans une chambre de vide (1) de telle sorte que la valeur de courant alternatif mesurée par les moyens de mesure est maintenue à une valeur prédéterminée lors de la formation d'un film fin prédéterminé sur la surface du substrat par introduction d'un gaz prédéterminé dans la chambre de vide, application d'un courant sur la cible (2) et pulvérisation de la cible.
(JA)  ターゲットが配置される真空チャンバと、ターゲットに電力投入する電源と、ガス導入手段と、排気手段と、処理すべき基板を保持する基板保持手段とを備え、基板保持手段が、正負の電極とを有するチャック本体と、基板の外周縁部が面接触可能なリブ部及びリブ部で囲繞された内部空間に所定間隔を存して立設された複数個の支持部を有するチャックプレートと、両電極間に直流電圧を印加する直流電源とを有するスパッタリング装置にて、基板間での膜厚のばらつきを抑制する。 チャックプレート62の静電容量を通る交流電流を流す交流電源64b及びその交流電流を測定する測定手段Aを有し、真空チャンバ1内に所定ガスを導入し、ターゲット2に電力投入してターゲットをスパッタし、基板表面に所定薄膜を形成するとき、測定手段により測定した交流電流値が所定値に保持されるように真空チャンバ内の圧力を制御する制御手段を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130001075CN102822380JPWO2011125292SG183904KR1020120137426