国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2011125289) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125289 国際出願番号: PCT/JP2011/001516
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 15.03.2011
IPC:
H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36
電極に特徴があるもの
40
材料
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
04
励起方法またはその装置,例.ポンピング
042
電気的励起
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya; null (UsOnly)
大屋 満明 OYA, Mitsuaki; null (UsOnly)
山田 篤志 YAMADA, Atsushi; null (UsOnly)
磯崎 瑛宏 ISOZAKI, Akihiro; null (UsOnly)
発明者:
横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya; null
大屋 満明 OYA, Mitsuaki; null
山田 篤志 YAMADA, Atsushi; null
磯崎 瑛宏 ISOZAKI, Akihiro; null
代理人:
奥田 誠司 OKUDA, Seiji; 大阪府大阪市中央区北浜一丁目8番16号 大阪証券取引所ビル10階 奥田国際特許事務所 OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
優先権情報:
2010-08522201.04.2010JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
要約:
(EN) The disclosed nitride semiconductor element is provided with: a layered semiconductor structure (20) that has a p-type semiconductor region, the surface (12) of which is inclined at an angle between 1° and 5° with an m-plane; and an electrode (30) provided on top of the p-type semiconductor region. The p-type semiconductor region is formed from an AlxInyGazN (x+y+z = 1, x ≥ 0, y ≥ 0, z ≥ 0) layer (26). The electrode (30) contains a zinc layer (32), which is in contact with the surface of the p-type semiconductor region in the layered semiconductor structure (20).
(FR) La présente invention concerne un élément semi-conducteur de nitrure comprenant : une structure semi-conductrice stratifiée (20) qui a une région semi-conductrice de type p, dont la surface (12) est inclinée à un angle compris entre 1° et 5° par rapport à un plan m; et une électrode (30) disposée au-dessus de la région semi-conductrice de type p. La région semi-conductrice de type p est formée d'une couche de AlxInyGazN (x+y+z = 1, x ≥ 0, y ≥ 0, z ≥ 0) (26). L'électrode (30) contient une couche de zinc (32), qui est en contact avec la surface de la région semi-conductrice de type p dans la structure semi-conductrice stratifiée (20).
(JA)  本発明の窒化物系半導体素子は、表面12がm面から1°以上5°以下の角度で傾斜したp型半導体領域を有する半導体積層構造20と、p型半導体領域上に設けられた電極30とを備える。p型半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)層26から形成されている。電極30は、Zn層32を含み、Zn層32は、半導体積層構造20におけるp型半導体領域の表面に接触している。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP2012070016EP2555257US20130001513JPWO2011125289CN102696122