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1. (WO2011125279) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125279 国際出願番号: PCT/JP2011/001027
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 23.02.2011
IPC:
H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36
電極に特徴があるもの
40
材料
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
04
励起方法またはその装置,例.ポンピング
042
電気的励起
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya; null (UsOnly)
大屋 満明 OYA, Mitsuaki; null (UsOnly)
山田 篤志 YAMADA, Atsushi; null (UsOnly)
加藤 亮 KATO, Ryou; null (UsOnly)
発明者:
横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya; null
大屋 満明 OYA, Mitsuaki; null
山田 篤志 YAMADA, Atsushi; null
加藤 亮 KATO, Ryou; null
代理人:
奥田 誠司 OKUDA, Seiji; 大阪府大阪市中央区北浜一丁目8番16号 大阪証券取引所ビル10階 奥田国際特許事務所 OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
優先権情報:
2010-08522101.04.2010JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
要約:
(EN) The disclosed nitride semiconductor element is provided with: a layered nitride semiconductor structure (20) that has a p-type GaN semiconductor region, the surface (12) of which is inclined at an angle between 1° and 5° with an m-plane; and an electrode (30) provided on top of the p-type GaN semiconductor region. The electrode (30) contains a magnesium alloy layer (32) comprising magnesium and either platinum, molybdenum, or palladium. The magnesium alloy layer (32) is in contact with the surface (12) of the p-type GaN semiconductor region in the layered semiconductor structure (20).
(FR) L'invention divulgue un élément semi-conducteur de nitrure constitué de : une structure de semi-conducteur de nitrure en couches (20) qui a une région de semi-conducteur GaN de type p, dont la surface (12) est inclinée à un angle entre 1° et 5° avec un plan m ; et une électrode (30) placée sur le dessus de la région de semi-conducteur GaN de type p. L'électrode (30) contient une couche d'alliage de magnésium (32) comprenant du magnésium et soit du platine, du molybdène, soit du palladium. La couche d'alliage de magnésium (32) est en contact avec la surface (12) de la région de semi-conducteur GaN de type p dans la structure de semi-conducteur en couches (20).
(JA)  本発明の窒化物系半導体素子は、表面12がm面から1°以上5°以下の角度で傾斜したp型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造20と、p型GaN系半導体領域上に設けられた電極30とを備える。電極30は、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層32を含み、Mg合金層32は、半導体積層構造20におけるp型GaN系半導体領域の表面12に接触している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2541624US20120319156CN102687292JPWO2011125279