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1. (WO2011125277) 放射線検出器およびそれを製造する方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125277 国際出願番号: PCT/JP2011/000953
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 21.02.2011
IPC:
H01L 27/14 (2006.01) ,G01T 1/24 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
G 物理学
01
測定;試験
T
原子核放射線またはX線の測定
1
X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16
放射線強度の測定
24
半導体検出器をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
出願人:
株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511, JP (AllExceptUS)
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
田邊 晃一 TANABE, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
貝野 正知 KAINO, Masatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
桑原 章二 KUWABARA, Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori; JP
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi; JP
田邊 晃一 TANABE, Koichi; JP
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki; JP
貝野 正知 KAINO, Masatomo; JP
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina; JP
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki; JP
桑原 章二 KUWABARA, Shoji; JP
代理人:
杉谷 勉 SUGITANI, Tsutomu; 大阪府大阪市北区西天満1丁目10番8号 西天満第11松屋ビル Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2010-08875407.04.2010JP
発明の名称: (EN) RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 放射線検出器およびそれを製造する方法
要約:
(EN) Provided is a radiation detector, wherein by setting surface irregularities on a graphite substrate (11) to a range of 1μm to 8μm, the film properties of a semiconductor layer (13) laminated on the graphite substrate (11) are stabilized, and adhesion between the graphite substrate (11) and the semiconductor layer (13) is improved. Even if an electron blocking layer (12) is interposed between the graphite substrate (11) and the semiconductor layer (13), the electron blocking layer (12) is thin, and the surface irregularities on the graphite substrate (11) are transferred to the electron blocking layer (12). As a consequence, the surface irregularities of the electron blocking layer (12) fall within approximately the same range, offering approximately the same effect as a configuration in which the semiconductor layer (13) is in direct contact with the graphite substrate (11).
(FR) L'invention concerne un détecteur de rayonnement dans lequel, en créant des irrégularités de surface sur un substrat de graphite (11) dans une gamme de 1 à 8 µm, les propriétés d'une couche semi-conductrice (13) déposée sur le substrat de graphite (11) sont stabilisées, et l'adhérence entre le substrat de graphite (11) et la couche semi-conductrice (13) est améliorée. Même si une couche de blocage des électrons (12) est intercalée entre le substrat de graphite (11) et la couche semi-conductrice (13), cette couche de blocage des électrons (12) reste mince, et les irrégularités de surface sur le substrat de graphite (11) sont transférées à ladite couche de blocage des électrons (12). Par conséquent, les irrégularités de surface de la couche de blocage des électrons (12) se situent approximativement dans la même gamme, apportant à peu près le même effet qu'une configuration dans laquelle la couche semi-conductrice (13) est en contact direct avec le substrat de graphite (11).
(JA)  グラファイト基板11の表面の凹凸を1μm~8μmの範囲とすることで、グラファイト基板11上に積層形成される半導体層13の膜質が安定し、グラファイト基板11と半導体層13との密着性を向上させることができる。グラファイト基板11と半導体層13との間に電子阻止層12が介在する場合でも電子阻止層12は薄く、グラファイト基板11の表面の凹凸が電子阻止層12に転写されるので、電子阻止層12の表面の凹凸もほぼ当該範囲となり、グラファイト基板11に半導体層13を直接に接触して形成した構造とほぼ同じ効果を奏する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2557597US20130026468CN102859691JPWO2011125277