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1. (WO2011125274) 電力用半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125274 国際出願番号: PCT/JP2011/000683
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 08.02.2011
IPC:
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
日野 史郎 HINO, Shiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
三浦 成久 MIURA, Naruhisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
中田 修平 NAKATA, Shuhei [JP/JP]; JP (UsOnly)
大塚 健一 OHTSUKA, Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡辺 昭裕 WATANABE, Shoyu [JP/JP]; JP (UsOnly)
古川 彰彦 FURUKAWA, Akihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
中尾 之泰 NAKAO, Yukiyasu [JP/JP]; JP (UsOnly)
今泉 昌之 IMAIZUMI, Masayuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
日野 史郎 HINO, Shiro; JP
三浦 成久 MIURA, Naruhisa; JP
中田 修平 NAKATA, Shuhei; JP
大塚 健一 OHTSUKA, Kenichi; JP
渡辺 昭裕 WATANABE, Shoyu; JP
古川 彰彦 FURUKAWA, Akihiko; JP
中尾 之泰 NAKAO, Yukiyasu; JP
今泉 昌之 IMAIZUMI, Masayuki; JP
代理人:
高橋 省吾 TAKAHASHI, Shogo; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号三菱電機株式会社 知的財産センター内 c/o Mitsubishi Electric Corporation Corporate Intellectual Property Division 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008310, JP
優先権情報:
2010-08781606.04.2010JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) 電力用半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) In conventional power semiconductor devices that perform high-speed switching, there have been some cases where a high voltage is generated due to resistance of a channel wherein a displacement current flows when switching is performed, and a thin insulating film, such as a gate insulating film, is broken, and a semiconductor device is broken. Disclosed is a semiconductor device which is provided with: a first conductivity type semiconductor substrate; a first conductivity type drift layer formed on the first main surface of the semiconductor substrate; a second conductivity type second well region formed to surround the cell region of the drift layer; and a source pad, which electrically connects second well regions and a source region in the cell region via a first well contact hole, which is provided such that the hole penetrates a gate insulating film on the second well region, a second well contact hole, which is provided such that the hole penetrates a field insulating film on the second well region, and a source contact hole.
(FR) Dans des dispositifs semi-conducteurs de puissance classiques qui effectuent une commutation à grande vitesse, il s'est trouvé certains cas dans lesquels une tension élevée est générée du fait de la résistance d'un canal dans lequel circule un courant de déplacement lorsqu'une commutation est effectuée, et un film isolant mince, tel qu'un film isolant de grille, est rompu, et un dispositif semi-conducteur est rompu. A cet effet, l'invention porte sur un dispositif semi-conducteur, qui comporte : un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité ; une couche de dérive d'un premier type de conductivité formée sur la première surface principale du substrat semi-conducteur ; une seconde région de puits d'un second type de conductivité formée de façon à entourer la région de cellule de la couche de dérive ; et une plage source, qui connecte électriquement des secondes régions de puits et une région de source dans la région de cellule par l'intermédiaire d'un premier trou de contact de puits, qui est disposé de telle sorte que le trou pénètre dans un film isolant de grille sur la seconde région de puits, d'un second trou de contact de puits, qui est disposé de telle sorte que le trou pénètre dans un film isolant de champ sur la seconde région de puits, et d'un trou de contact de source.
(JA) 高速にスイッチングする電力用半導体装置において、スイッチング時に変位電流が流れることによってその流路の抵抗とあいまって、高電圧が発生し、その電圧によって、ゲート絶縁膜のような薄い絶縁膜が絶縁破壊し、半導体装置が破壊する場合があった。この発明に係る半導体装置は、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の第1の主面に形成された第1導電型のドリフト層と、ドリフト層のセル領域を取り囲むように形成された第2導電型の第2ウェル領域と、第2ウェル領域上のゲート絶縁膜を貫通して設けられた第1ウェルコンタクトホール、第2ウェル領域上のフィールド絶縁膜を貫通して設けられた第2ウェルコンタクトホール、および、ソースコンタクトホールを介して第2ウェル領域どうしとセル領域のソース領域を電気的に接続するソースパッドとを備えたものである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP2012109602US20130020587CN102870217JPWO2011125274JP2014082521DE112011101254
KR1020120125401JP2017005278