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1. (WO2011125259) 光電変換装置用基板とその製造方法、薄膜光電変換装置とその製造方法及び太陽電池モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125259 国際出願番号: PCT/JP2010/071915
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 07.12.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
松浦 努 MATSUURA, Tsutomu; JP (UsOnly)
山林 弘也 YAMARIN, Hiroya; JP (UsOnly)
津田 祐樹 TSUDA, Yuki; JP (UsOnly)
発明者:
松浦 努 MATSUURA, Tsutomu; JP
山林 弘也 YAMARIN, Hiroya; JP
津田 祐樹 TSUDA, Yuki; JP
代理人:
酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; 東京都千代田区霞が関三丁目2番5号 霞が関ビルディング 酒井国際特許事務所 Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020, JP
優先権情報:
2010-08717205.04.2010JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE, THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) SUBSTRAT POUR DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT, DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE EN COUCHE MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF, ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 光電変換装置用基板とその製造方法、薄膜光電変換装置とその製造方法及び太陽電池モジュール
要約:
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a substrate for a photoelectric conversion device wherein a first electrode layer (2) composed of a transparent conductive material is formed on the substrate (1). The method includes: a first transparent conductive film-forming step, wherein a first transparent conductive film (21) is formed on the substrate (1); a second transparent conductive film-forming step, wherein a second transparent conductive film (22) is formed on the first transparent conductive film (21), in the film-forming conditions of having, in the subsequent etching step, a lower etching rate compared with that of the first transparent conductive film (21); and an etching step, wherein a recessed section (52) is formed by wet-etching the second and the first transparent conductive films (22, 21), said recessed section penetrating at least the second transparent conductive film (22), and having the bottom portion in the first transparent conductive film (21).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat pour un dispositif de conversion photoélectrique dans lequel une première couche d'électrode (2) composée d'un matériau conducteur transparent est formée sur un substrat (1). Le procédé consiste à former un premier film conducteur transparent (21) sur le substrat (1) ; former un deuxième film conducteur transparent (22) sur le premier film conducteur transparent (21), dans des conditions de formation de film telles que, lors de l'étape de gravure consécutive, une vitesse de gravure inférieure à celle du premier film conducteur transparent (21) est obtenue ; et former une section évidée (52) par gravure humide du deuxième et du premier film conducteur transparent (22, 21), ladite section évidée pénétrant au moins dans le deuxième film conducteur transparent (22), et dont la partie inférieure se situe dans le premier film conducteur transparent (21).
(JA)  基板1上に透明導電性材料からなる第1の電極層2を備える光電変換装置用基板の製造方法において、基板1上に第1の透明導電膜21を形成する第1の透明導電膜形成工程と、第1の透明導電膜21上に、後のエッチング工程で第1の透明導電膜21に比してエッチングレートが低くなる製膜条件で第2の透明導電膜22を形成する第2の透明導電膜形成工程と、第2及び第1の透明導電膜22,21をウエットエッチングして、少なくとも第2の透明導電膜22を貫通し、底部が第1の透明導電膜21内に存在する凹部52を形成するエッチング工程と、を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130025651CN102822991JPWO2011125259