国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2011125101) 光電変換素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/125101 国際出願番号: PCT/JP2010/002457
国際公開日: 13.10.2011 国際出願日: 02.04.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP (AllExceptUS)
益永くみ MASUNAGA, Kumi; null (UsOnly)
藤本明 FUJIMOTO, Akira; null (UsOnly)
堤栄史 TSUTSUMI, Eishi; null (UsOnly)
浅川鋼児 ASAKAWA, Koji; null (UsOnly)
中西務 NAKANISHI, Tsutomu; null (UsOnly)
西沢秀之 NISHIZAWA, Hideyuki; null (UsOnly)
北川良太 KITAGAWA, Ryota; null (UsOnly)
発明者:
益永くみ MASUNAGA, Kumi; null
藤本明 FUJIMOTO, Akira; null
堤栄史 TSUTSUMI, Eishi; null
浅川鋼児 ASAKAWA, Koji; null
中西務 NAKANISHI, Tsutomu; null
西沢秀之 NISHIZAWA, Hideyuki; null
北川良太 KITAGAWA, Ryota; null
代理人:
砂井 正之 SAGOI, Masayuki; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 東芝テクノセンター株式会社内 c/o TOSHIBA TECHNO CENTER INC. 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) ELÉMENT CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 光電変換素子及びその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a highly efficient photoelectric converter element that uses an augmented electrical field to increase carrier excitation. The disclosed photoelectric converter element includes a photoelectric converter layer formed of two or more semiconductor layers that are stacked between two electrode layers, and is provided with an electrical field augmentation layer in the photoelectric converter layer, said electrical field augmentation layer being sandwiched between the semiconductor layers. The electrical field augmentation layer includes a metallic fine structure body, wherein the metallic fine structure body is either a porous thin film or microscopic bodies such as microspheres.
(FR) La présente invention concerne un élément convertisseur photoélectrique très efficace qui utilise un champ électrique augmenté pour augmenter l'excitation de porteuse. L'élément convertisseur photoélectrique décrit comprend une couche de convertisseur photoélectrique formée de deux couches à semi-conducteur ou plus qui sont empilées entre deux couches d'électrode, et est pourvu d'une couche d'augmentation de champ électrique dans la couche convertisseur photoélectrique, les couches à semi-conducteur se trouvant de part et d'autre de ladite couche d'augmentation de champ électrique. La couche d'augmentation de champ électrique comprend un corps de structure fine métallique qui est un film mince poreux ou des corps microscopiques tels que des microsphères.
(JA)  本発明の目的は、増強電場によりキャリア励起を増大させる効率が高い光電変換素子を提供することである。 本発明で提案する光電変換素子は、2つの電極層の間に積層された2以上の半導体層で形成される光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層中に半導体層で挟まれた電場増強層を有する事を特徴とする。該電場増強層とは、金属製の微細構造体を含み、該微細構造体とは、多孔質薄膜あるいは微小球などの微小体である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN102918651JPWO2011125101