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1. (WO2011122497) 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122497 国際出願番号: PCT/JP2011/057459
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 25.03.2011
IPC:
B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 14/48 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9
本質的にグループ11/00~29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
48
イオン注入法
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58
後処理
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
14
絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13
導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法
出願人:
リンテック株式会社 LINTEC Corporation [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP (AllExceptUS)
永元 公市 NAGAMOTO, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
近藤 健 KONDO, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
鈴木 悠太 SUZUKI, Yuta [JP/JP]; JP (UsOnly)
岩屋 渉 IWAYA, Wataru [JP/JP]; JP (UsOnly)
永縄 智史 NAGANAWA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
永元 公市 NAGAMOTO, Koichi; JP
近藤 健 KONDO, Takeshi; JP
鈴木 悠太 SUZUKI, Yuta; JP
岩屋 渉 IWAYA, Wataru; JP
永縄 智史 NAGANAWA, Satoshi; JP
代理人:
栗原浩之 KURIHARA, Hiroyuki; 東京都渋谷区広尾1丁目3番15号 岩崎ビル6階 栗原国際特許事務所 Kurihara International Patent Office, Iwasaki Bldg. 6F, 3-15, Hiroo 1-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1500012, JP
優先権情報:
2010-08452231.03.2010JP
発明の名称: (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス
要約:
(EN) A base material is provided, on at least one surface, with a gas barrier layer and a transparent conductive film, wherein: the gas barrier layer is configured from a material which at least contains oxygen atoms, nitrogen atoms, and silicon atoms; the surface layer of the gas barrier layer has an oxygen atom abundance of 60 to 75%, a nitrogen atom abundance of 0 to 10%, and a silicon atom abundance of 25 to 35% in relation to the total abundances of the oxygen, nitrogen and silicon atoms; and the surface layer of the gas barrier layer has a film density of 2.4 to 4.0g/cm3.
(FR) L'invention concerne un matériau de base qui est muni, sur au moins une surface, d'une couche barrière contre les gaz et d'un film conducteur transparent. La couche barrière contre les gaz est constituée d'un matériau qui contient au moins des atomes d'oxygène, des atomes d'azote et des atomes de silicium ; la couche superficielle de la couche barrière contre les gaz présente une teneur en atomes d'oxygène comprise entre 60 et 75 %, une teneur en atomes d'azote comprise entre 0 et 10 %, et une teneur en atomes de silicium comprise entre 25 et 35 % par rapport aux teneurs totales en atomes d'oxygène, d'azote et de silicium ; et la couche superficielle de la couche barrière contre les gaz présente une densité de film comprise entre 2,4 et 4,0 g/cm3.
(JA)  基材の少なくとも片面にガスバリア層と、透明導電膜とを具備し、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなり、前記ガスバリア層の表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75%、窒素原子の存在割合が0~10%、ケイ素原子の存在割合が25~35%であり、かつ、前記ガスバリア層の表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cmである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2556954US20120295120JPWO2011122497CN102811853KR1020120123115