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1. (WO2011122439) 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置並びに転写用基板の製造方法及び転写用基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122439 国際出願番号: PCT/JP2011/057178
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 24.03.2011
IPC:
B29C 59/02 (2006.01) ,B29C 33/44 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
59
表面成形,例.エンボス;そのための装置
02
機械的手段,例.プレス,によるもの
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
33
型またはコア;その細部または付属装置
44
成形品,例.アンダカット成形品,の取出しのための装置を備えるもの,または成形品の取出しを容易にするための特別の構造を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP (AllExceptUS)
岡田 信一郎 OKADA, Shinichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
小川 正太郎 OGAWA, Shotaro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
岡田 信一郎 OKADA, Shinichiro; JP
小川 正太郎 OGAWA, Shotaro; JP
代理人:
松浦 憲三 MATSUURA, Kenzo; 東京都新宿区西新宿二丁目6番1号 新宿住友ビル23階 私書箱第176号 新都心国際特許事務所 Matsuura & Associates, P.O. Box 176, Shinjuku Sumitomo Bldg. 23F, 6-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630223, JP
優先権情報:
2010-07549529.03.2010JP
発明の名称: (EN) DEVICE FOR FORMING AND METHOD FOR FORMING MICRO-TEXTURED PATTERN, METHOD FOR PRODUCING TRANSFER SUBSTRATE, AND TRANSFER SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF MICRO-TEXTURÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSFERT, ET SUBSTRAT DE TRANSFERT
(JA) 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置並びに転写用基板の製造方法及び転写用基板
要約:
(EN) In one embodiment, the disclosed method for forming a micro-textured pattern is provided with: a transfer step wherein the micro-textured pattern of a mold is transferred to the resist layer of a transfer substrate on which the resist layer has been formed, and then curing the aforementioned transferred micro-textured pattern; and a detachment step wherein the aforementioned transfer substrate and the aforementioned mold are detached after the aforementioned transferred micro-textured pattern has been cured. The aforementioned detachment step is provided with: a first detachment step wherein pressure is applied to the back surface of the aforementioned transfer substrate while in the state of the edge section of the aforementioned transfer substrate being immobilized, thus bending the aforementioned transfer substrate into an arc and initiating the detachment of the aforementioned transfer substrate and the aforementioned mold by means of the bending of the aforementioned transfer substrate; and a second detachment step wherein the portion out of the aforementioned micro-textured pattern of micro-textured pattern that did not detach in the aforementioned first detachment step is detached by means of gradually decreasing the aforementioned applied pressure in a manner so as to undo the bending of the aforementioned transfer substrate. This method for producing a transfer substrate produces a transfer substrate by means of the aforementioned method of formation.
(FR) Selon un mode de réalisation, l'invention porte sur un procédé de formation d'un motif micro-texturé qui comprend les étapes suivantes : le transfert du motif micro-texturé d'un moule à la couche de réserve d'un substrat de transfert sur lequel la couche de réserve a été formée, puis le durcissement dudit motif micro-texturé transféré, et la séparation du substrat de transfert susmentionné et du moule susmentionné après le durcissement dudit motif micro-texturé transféré. L'étape de séparation susmentionnée comprend les étapes suivantes : l'application d'une pression à la surface de dos du substrat de transfert susmentionné pendant qu'il est dans l'état où la section de bord du substrat de transfert susmentionné est immobilisée, en courbant ainsi en arc le substrat de transfert susmentionné et en déclenchant la séparation du substrat de transfert susmentionné et du moule susmentionné à l'aide de la courbure du substrat de transfert susmentionné, et la partie située en dehors du motif micro-texturé susmentionné du motif micro-texturé, qui ne s'est pas séparée dans la première étape de séparation susmentionnée, est séparée à l'aide d'une réduction progressive de la pression appliquée susmentionnée de manière à annuler la courbure du substrat de transfert susmentionné. Ce procédé de fabrication d'un substrat de transfert permet d'obtenir un substrat de transfert par application du procédé de formation susmentionné.
(JA)  本発明の一態様に係る微細凹凸パターンの形成方法は、基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して、前記転写した微細凹凸パターンを硬化する転写工程と、前記転写した微細凹凸パターンを硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離工程とを備え、前記剥離工程は、前記転写用基板の周縁部を固定した状態で前記転写用基板の基板裏面側を加圧して前記転写用基板を湾曲状に撓ませ、該転写用基板の撓みによって前記転写用基板と前記モールドとの剥離を開始する第1の剥離工程と、前記転写用基板の撓みが戻るように前記加圧した圧力を徐々に減少させることにより、前記微細凹凸パターンのうちの前記第1の剥離工程で剥離されなかった微細凹凸パターンを剥離する第2の剥離工程とを備える。本発明の一態様に係る転写用基板の製造方法は、上記形成方法により転写用基板を製造するものである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130207309KR1020130009983