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1. (WO2011122386) 研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122386 国際出願番号: PCT/JP2011/056703
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 22.03.2011
IPC:
B24B 37/24 (2012.01) ,C08G 18/32 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,C08G 101/00 (2006.01)
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
11
ラップ工具
20
平面を加工するためのラッピングパッド
24
パッドの材料の組成または特性に特徴のあるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
18
イソシアネートまたはイソチオシアネートの重合生成物
06
活性水素を有する化合物との
28
活性水素含有使用化合物に特徴のあるもの
30
低分子量化合物
32
ポリヒドロキシ化合物;ポリアミン;ヒドロキシアミン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
101
発泡体の製造
出願人:
東洋ゴム工業株式会社 TOYO TIRE & RUBBER CO.,LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市西区江戸堀1丁目17番18号 17-18,Edobori 1-chome,Nishi-ku,Osaka-shi, Osaka 5508661, JP (AllExceptUS)
伊藤 彩 ITO,Aya [JP/JP]; JP (UsOnly)
堂浦 真人 DOURA,Masato [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
伊藤 彩 ITO,Aya; JP
堂浦 真人 DOURA,Masato; JP
代理人:
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目13-9 新大阪MTビル1号館 SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-08322431.03.2010JP
発明の名称: (EN) POLISHING PAD AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) TAMPON DE POLISSAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided is a polishing pad with which microscopic undulations that occur on the surface of an object to be polished can be reduced. Also provided is a method for producing the polishing pad, and a method for producing a semiconductor device. A polishing pad having a polishing layer comprising a thermosetting polyurethane foam that contains as ingredients: an active hydrogen-containing compound that contains 10 to 50 parts by weight of a trifunctional polyol, in which at least one of the terminal hydroxyl groups is a secondary hydroxyl group and the hydroxyl value is 150 to 1000 mg KOH/g, in 100 parts by weight of the active hydrogen-containing compound; and an isocyanate component. By using the thermosetting polyurethane foam, in-plane variations in microrubber A hardness of the polishing layer measured from the polishing surface side are restricted to 12 or less.
(FR) L'invention concerne un tampon de polissage qui permet de réduire des ondulations microscopiques présentes sur la surface d'un objet devant être poli. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication du tampon de polissage, et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs. L'invention concerne un tampon de polissage ayant une couche de polissage comportant une mousse de polyuréthane thermodurcissable qui contient comme ingrédients : un composé contenant de l'hydrogène actif qui contient 10 à 50 parties en poids d'un polyol trifonctionnel, dans lequel au moins l'un des groupes hydroxyles terminaux est un groupe hydroxyle secondaire et l'indice d'hydroxyle est de 150 à 1000 mg KOH/g, en 100 parties en poids du composé contenant de l'hydrogène actif ; et un composant d'isocyanate. En utilisant la mousse de polyuréthane thermodurcissable, des variations dans le plan en dureté A de microcaoutchouc de la couche de polissage, dont la mesure est prise du côté de la surface de polissage, sont restreintes à 12 ou moins.
(JA)  研磨対象物の表面に発生する微小うねりを低減することができる研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供すること。 熱硬化性ポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、末端水酸基の少なくとも1つが2級水酸基であって、かつ水酸基価が150~1000mgKOH/gである3官能ポリオールを、前記活性水素含有化合物100重量部中、10~50重量部含有する活性水素含有化合物とイソシアネート成分とを原料成分として含有する熱硬化性ポリウレタン発泡体を使用することで、研磨面側から測定した研磨層のマイクロゴムA硬度の面内ばらつきを12以下とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130012105CN102781628SG183940KR1020120123130MYPI 2012004330