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1. (WO2011122353) 基板の粗面化方法および光起電力装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122353 国際出願番号: PCT/JP2011/056311
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 16.03.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
西村 邦彦 NISHIMURA, Kunihiko; JP (UsOnly)
松野 繁 MATSUNO, Shigeru; JP (UsOnly)
檜座 秀一 HIZA, Shuichi; JP (UsOnly)
発明者:
西村 邦彦 NISHIMURA, Kunihiko; JP
松野 繁 MATSUNO, Shigeru; JP
檜座 秀一 HIZA, Shuichi; JP
代理人:
酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; 東京都千代田区霞が関三丁目2番5号 霞が関ビルディング 酒井国際特許事務所 Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020, JP
優先権情報:
2010-07610929.03.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR ROUGHENING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE RENDRE RUGUEUX UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 基板の粗面化方法および光起電力装置の製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a method for roughening a substrate, which includes: a step of forming an etching resistant film on the surface of the substrate; a step of attaching a mesh-like blast mask (3) to the etching resistant film; a step of forming, by blast processing, a fine opening (4) in an etching resistant film region having no blast mask (3) attached thereto; a step of removing the blast mask; a step of performing etching using the etching resistant film having the opening formed therein; and a step of removing the etching resistant film.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé permettant de rendre rugueux un substrat, ledit procédé comprenant : une étape consistant à former un film résistant à la gravure chimique sur la surface du substrat ; une étape consistant à fixer un masque de sablage de type maillage (3) sur le film résistant à la gravure chimique ; une étape consistant à former, par un traitement de sablage, une fine ouverture (4) dans une région du film résistant à la gravure chimique qui ne possède pas de masque de sablage (3) fixé à ce dernier ; une étape consistant à enlever le masque de sablage ; une étape consistant à effectuer une gravure chimique à l'aide du film résistant à la gravure chimique ayant l'ouverture formée dans ce dernier ; et une étape consistant à enlever le film résistant à la gravure chimique.
(JA)  基板の表面に耐エッチング性膜を形成する工程と、メッシュ状のブラストマスク3を耐エッチング性膜に対して被着する工程と、ブラスト加工処理を施すことにより耐エッチング性膜のブラストマスク3の被着しない領域に微細開口4を形成する工程と、ブラストマスクを取り外す工程と、開口が形成された耐エッチング性膜を用いてエッチングを施す工程と、耐エッチング性膜を除去する工程と、を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011122353