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1. (WO2011122345) 圧力検出装置およびその製造方法、表示装置およびその製造方法、ならびに圧力検出装置付きTFT基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122345 国際出願番号: PCT/JP2011/056220
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 16.03.2011
IPC:
G01L 1/14 (2006.01) ,G01L 5/00 (2006.01) ,G02F 1/1333 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G06F 3/041 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/84 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
L
力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定
1
力または応力の測定一般
14
電気的素子の容量またはインダクタンスの変化の測定によるもの,例.電気的発振器の周波数の変化を測定するもの
G 物理学
01
測定;試験
L
力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定
5
特定の目的に適合した,力,例.衝撃によるもの,仕事,機械的動力またはトルクを測定する装置または方法
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333
構造配置
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
3
計算機で処理しうる形式にデータを変換するための入力装置;処理ユニットから出力ユニットへデータを転送するための出力装置,例.インタフェース装置
01
ユーザーと計算機との相互作用のための入力装置または入力と出力が結合した装置
03
器具の位置または変位をコード信号に変換するための装置
041
変換手段よって特徴付けられたデジタイザー,例.タッチスクリーンまたはタッチパッド用のもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
84
外からの機械的力,例.圧力,の変化によって制御可能なもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
福山 恵一 FUKUYAMA, Keiichi; null (UsOnly)
木村 知洋 KIMURA, Tomohiro; null (UsOnly)
國吉 督章 KUNIYOSHI, Tokuaki; null (UsOnly)
発明者:
福山 恵一 FUKUYAMA, Keiichi; null
木村 知洋 KIMURA, Tomohiro; null
國吉 督章 KUNIYOSHI, Tokuaki; null
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 Fukami Patent Office, p.c.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2010-07582029.03.2010JP
発明の名称: (EN) PRESSURE DETECTION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SAME, DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SAME, AND TFT SUBSTRATE WITH PRESSURE DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES DOTÉ DU DISPOSITIF DE DÉTECTION DE PRESSION
(JA) 圧力検出装置およびその製造方法、表示装置およびその製造方法、ならびに圧力検出装置付きTFT基板
要約:
(EN) Disclosed is a pressure detection device equipped with a glass substrate (140) as a substrate; a lower electrode (172) disposed above the glass substrate (140); an upper electrode (171) including one or more holes (173) as pass-through openings, opposing the lower electrode (172) separated from the lower electrode (172); and source wiring (111) as a fluctuation lead-out line for detecting electrical status fluctuations caused by the upper electrode (171) receiving pressure and bowing toward the lower electrode (172).
(FR) L'invention concerne un dispositif de détection de pression comprenant : un substrat de verre (140) ; une électrode inférieure (172) disposée au-dessus du substrat de verre (140) ; une électrode supérieure (171) comportant au moins un trou (173) servant d'ouverture traversante, faisant face à l'électrode inférieure (172) et séparée de celle-ci (172) ; et un câblage de source (111) servant de ligne de sortie de fluctuations pour détecter les fluctuations d'état électrique causées par l'électrode supérieure (171) qui reçoit une pression et se plie vers l'électrode inférieure (172).
(JA)  圧力検出装置は、基板としてのガラス基板(140)と、ガラス基板(140)上に配置された下部電極(172)と、下部電極(172)から離隔しつつ下部電極(172)に対して対向し、1以上の貫通開口部としての穴部(173)を有する上部電極(171)と、上部電極(171)が圧力を受けて下部電極(172)に向かってたわむことによる電気状態の変化を検出するための変化取出配線としてのソース配線(111)とを備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130020573