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1. (WO2011122322) エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122322 国際出願番号: PCT/JP2011/055990
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 15.03.2011
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
338
ショットキーゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
778
二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812
ショットキーゲートを有するもの
出願人:
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP (AllExceptUS)
三好 実人 MIYOSHI Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
角谷 茂明 SUMIYA Shigeaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
市村 幹也 ICHIMURA Mikiya [JP/JP]; JP (UsOnly)
前原 宗太 MAEHARA Sota [JP/JP]; JP (UsOnly)
田中 光浩 TANAKA Mitsuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
三好 実人 MIYOSHI Makoto; JP
角谷 茂明 SUMIYA Shigeaki; JP
市村 幹也 ICHIMURA Mikiya; JP
前原 宗太 MAEHARA Sota; JP
田中 光浩 TANAKA Mitsuhiro; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; 大阪府大阪市中央区城見1丁目4番70号住友生命OBPプラザビル10階 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg. 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400001, JP
優先権情報:
2010-08005831.03.2010JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL
(JA) エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
要約:
(EN) Provided is a crack-free epitaxial substrate. Said epitaxial substrate is configured by forming group III nitride layer groups on a foundation substrate consisting of (111)-oriented single crystal silicon, in such a way that that the (0001) crystal faces will be approximately parallel to the substrate surface. A buffer layer is formed in such a way that first lamination sub-layers and second lamination sub-layers are alternately laminated, and that the uppermost portion and the lowermost portions are each composed of a first lamination sub-layer. The epitaxial substrate is provided with this buffer layer and a crystal layer which is formed on top of the buffer layer. The first lamination sub-layers are each formed in such a way that first component layers and second component layers are alternately laminated, the composition of the first component layers being different from that of the second component layers, and that the farther the distance between the foundation substrate surface and a second component layer, the larger the thickness of that second component layer, with the result that the farther the distance between the foundation substrate and a second component layer, the larger the compressive strain in that second component layer. The second lamination sub-layers are formed in such a way as to be substantially strain-free internal layers which are formed to have a thickness of 15 nm - 150 nm.
(FR) La présente invention se rapporte à un substrat épitaxial exempt de craquelures. Ledit substrat épitaxial est configuré par formation de groupes de couches de nitrure du groupe III sur un substrat de base se composant de silicium monocristallin orienté (111) de telle manière que les faces cristallines (0001) seront approximativement parallèles à la surface du substrat. Une couche tampon est formée de telle manière que les premières sous-couches de stratification et les secondes sous-couches de stratification soient stratifiées en alternance et que la partie supérieure et les parties inférieures soient chacune composées d'une première sous-couche de stratification. Le substrat épitaxial est pourvu de cette couche tampon et d'une couche cristalline qui est formée sur la couche tampon. Les premières sous-couches de stratification sont chacune formées de telle manière que les premières couches constitutives et les secondes couches constitutives soient stratifiées en alternance, les compositions des premières couches constitutives étant différente de celle des secondes couches constitutives et que plus la distance entre la surface du substrat de base et une seconde couche constitutive est éloignée, plus importante est l'épaisseur de la seconde couche constitutive, avec le résultat que plus la distance entre le substrat de base et une seconde couche constitutive est éloignée, plus importante est la contrainte de compression dans cette seconde couche constitutive. Les secondes sous-couches de stratification sont formées de telle manière à être des couches internes sensiblement sans contrainte qui sont formées de sorte à présenter une épaisseur allant de 15 nm à 150 nm.
(JA)  クラックフリーなエピタキシャル基板を提供する。(111)方位の単結晶シリコンである下地基板の上に、基板面に対し(0001)結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなるエピタキシャル基板を、第1の積層単位と第2の積層単位とを交互に積層してなり、かつ、最上部と最下部がいずれも第1の積層単位にて構成されてなるバッファ層と、バッファ層の上に形成された結晶層と、を備え、第1の積層単位が、組成の相異なる第1組成層と第2組成層とを交互に、かつ、下地基板の側から離れるほど第2組成層の厚みが大きくなるように積層してなることで、下地基板から離れるほど大きな圧縮歪を内在しており、第2の積層単位が、15nm以上150nm以下の厚みに形成された実質的に無歪の中間層であるように形成する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2554719CN102822397JPWO2011122322