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1. (WO2011122281) テラヘルツ分光分析装置およびテラヘルツ分光分析方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122281 国際出願番号: PCT/JP2011/055582
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 10.03.2011
IPC:
G01N 21/21 (2006.01) ,G01N 21/35 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
17
調査される材料の特性に応じて入射光が変調されるシステム
21
偏光に影響をおよぼす特性
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
17
調査される材料の特性に応じて入射光が変調されるシステム
25
色;スペクトル特性,すなわち2またはそれ以上の波長あるいは波長帯において材料が光に与える効果の比較
31
特定の元素または分子を特徴づける波長における材料の相対的効果の調査,例.原子吸光分光
35
赤外光を用いるもの
出願人:
株式会社村田製作所 Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP (AllExceptUS)
松本直樹 MATSUMOTO Naoki [JP/JP]; JP (UsOnly)
矢次健一 YATSUGI Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
長島健 NAGASHIMA Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
松本直樹 MATSUMOTO Naoki; JP
矢次健一 YATSUGI Kenichi; JP
長島健 NAGASHIMA Takeshi; JP
代理人:
特許業務法人 楓国際特許事務所 Kaede Patent Attorneys' Office; 大阪府大阪市中央区農人橋1丁目4番34号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
優先権情報:
2010-07701830.03.2010JP
発明の名称: (EN) TERAHERTZ RADIATION ANALYSIS DEVICE AND METHOD OF ANALYZING TERAHERTZ RADIATION
(FR) DISPOSITIF D'ANALYSE DU RAYONNEMENT TÉRAHERTZ ET PROCÉDÉ D'ANALYSE DU RAYONNEMENT TÉRAHERTZ
(JA) テラヘルツ分光分析装置およびテラヘルツ分光分析方法
要約:
(EN) Provided is a method of analyzing terahertz radiation capable of deriving the physical properties of materials for a semiconductor without using special additional facilities. In the method of analyzing terahertz radiation, pulse light is irradiated onto a sample when a magnetic field is being applied, and time waveforms (Rsp, Rpp) of reflected waves reflected from the sample are detected (S6 to S7, S9 to S10). Also, pulse light is irradiated onto the sample when no magnetic field is being applied, and time waveforms (Rp, Rs) of reflected waves reflected from the sample are detected (S1 to S2, S3 to S4). Further, based on the time waveforms (Rp, Rs, Rsp, Rpp) the diagonal component (εxx) and the non-diagonal component (εxy) of a complex permittivity tensor are derived when a magnetic field is being applied to the sample (S5, S8, S11 to S12). Thereby, the physical properties of materials for a sample are derived (S13), which includes the diagonal component (εxx) and the non-diagonal component (εxy) as parameters.
(FR) Cette invention concerne un procédé d'analyse du rayonnement térahertz capable de dériver les propriétés physiques de matériaux pour un semi-conducteur sans recourir à des structures supplémentaires spéciales. Dans ce procédé d'analyse, de la lumière pulsée est envoyée sur un échantillon sur lequel s'applique un champ magnétique, et les formes d'onde temporelles (Rsp, Rpp) des ondes réfléchies et renvoyées par l'échantillon sont détectées (S6 à S7, S9 à S10). La lumière pulsée est également envoyée sur l'échantillon sans application de champ magnétique, et les formes d'onde (Rp, Rs) des ondes réfléchies et renvoyées par l'échantillon sont détectées (S1 à S2, S3 à S4). Par ailleurs, les formes d'onde (Rp, Rs, Rsp, Rpp) servent à dériver la composante diagonale (εxx) et la composante non diagonale (εxy) d'un champ tensoriel de permittivité complexe lorsqu'un champ magnétique est appliqué sur l'échantillon (S5, S8, S11 à S12). Les propriétés physiques des matériaux d'un échantillon sont ainsi dérivées (S13) et incluent la composante diagonale (εxx) et la composante non diagonale (εxy) comme paramètres.
(JA) 特殊な追加設備を用いずに、半導体の材料物性値を導出できるテラヘルツ分光分析方法を提供する。テラヘルツ分光分析方法では、磁場印加状態の試料に対してパルス光を照射し、試料に反射された反射波の時間波形Rsp,Rppを検出する(S6~S7,S9~S10)。また、無磁場状態の試料に対してパルス光を照射し、試料に反射された反射波の時間波形R,Rを検出する(S1~S2,S3~S4)。また、時間波形R,R,Rsp,Rppに基づいて、試料の磁場印加状態での複素誘電率テンソルの対角成分εxxおよび非対角成分εxyを導出する(S5,S8,S11~S12)。そして、対角成分εxxおよび非対角成分εxyをパラメータに含む試料の材料物性値を導出する(S13)。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)