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1. (WO2011122139) 電子線干渉装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122139 国際出願番号: PCT/JP2011/053162
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 15.02.2011
IPC:
H01J 37/295 (2006.01) ,H01J 37/141 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
26
電子またはイオン顕微鏡;電子またはイオン回折管
295
電子またはイオン回折管
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
10
レンズ
14
磁気的なもの
141
電磁レンズ
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP (AllExceptUS)
原田 研 HARADA, Ken [JP/JP]; JP (UsOnly)
明石 哲也 AKASHI, Tetsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
原田 研 HARADA, Ken; JP
明石 哲也 AKASHI, Tetsuya; JP
代理人:
筒井 大和 TSUTSUI, Yamato; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 筒井国際特許事務所 Tsutsui & Associates 3F Shinjuku Gyoen Bldg. 3-10, Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2010-07657330.03.2010JP
発明の名称: (EN) ELECTRON BEAM INTERFERENCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'INTERFÉRENCE À FAISCEAU D'ÉLECTRONS
(JA) 電子線干渉装置
要約:
(EN) Disclosed is an interference optical system of a transmission electron microscope, wherein a means for disposing a first electron beam biprism (91) within a first imaging lens (61) in an imaging lens system is provided so that the first electron beam biprism is disposed in the vicinity of the upper side of the main surface of the first imaging lens, and a second electron beam biprism (93) is disposed in the vicinity of the lower side of the main surface of the first imaging lens. Thus, even when the conditions for irradiation of a sample with an electron beam are changed, the interference conditions (the interval (s) between interference stripes and the width (W) of an interference area) do not change, and an interference microscope image can be obtained.
(FR) L'invention porte sur un système optique à interférence d'un microscope électronique à transmission, dans lequel des moyens pour disposer un premier biprisme de faisceau d'électrons (91) à l'intérieur d'une première lentille de réalisation d'image (61) dans un système de lentille de réalisation d'image sont disposés de telle sorte que le premier biprisme de faisceau d'électrons est disposé au voisinage du côté supérieur de la surface principale de la première lentille de réalisation d'image, et qu'un second biprisme de faisceau d'électrons (93) est disposé au voisinage du côté inférieur de la surface principale de la première lentille de réalisation d'image. Par conséquent, même si les conditions pour une irradiation d'un échantillon avec un faisceau d'électrons sont changées, les conditions d'interférence (l'intervalle (s) entre des bandes d'interférence et la largeur (W) d'une zone d'interférence) ne changent pas, et une image de microscope à interférence peut être obtenue.
(JA)  本発明の透過型電子顕微鏡の干渉光学系は、結像レンズ系における第1結像レンズ(61)内に第1の電子線バイプリズム(91)を設置する手段を設け、前記第1の電子線バイプリズムを前記第1結像レンズの主面の上側近傍に、第2の電子線バイプリズム(93)を前記第1結像レンズの主面の下側近傍にそれぞれ配置することを特徴とする。 これにより、試料への電子線の照射条件を変更した際にも、干渉条件(干渉縞間隔sと干渉領域幅W)が変化せずに、干渉顕微鏡像を得ることが可能になった。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011122139