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1. (WO2011122078) 磁気抵抗素子、磁気ディスク装置及び磁気抵抗記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/122078 国際出願番号: PCT/JP2011/051167
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 24.01.2011
IPC:
H01L 43/10 (2006.01) ,C22C 12/00 (2006.01) ,C22C 28/00 (2006.01) ,C22C 30/00 (2006.01) ,C22C 38/00 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10
材料の選択
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
12
アンチモンまたはビスマスを基とする合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
28
グループ5/00から27/00に分類されない金属を基とする合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
30
各成分を50重量%未満含有する合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
38
鉄合金,例.合金鋼
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
127
ヘッド,例.誘導型,の構造または製造
33
磁束感知ヘッドの構造または製造
39
磁気抵抗装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP (AllExceptUS)
籔内 真 YABUUCHI Shin [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
籔内 真 YABUUCHI Shin; JP
代理人:
平木 祐輔 HIRAKI Yusuke; 東京都港区愛宕2丁目5番1号 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
優先権情報:
2010-08167731.03.2010JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC DISC DEVICE, AND MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF, DISPOSITIF À DISQUE MAGNÉTIQUE ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTORÉSISTIVE
(JA) 磁気抵抗素子、磁気ディスク装置及び磁気抵抗記憶装置
要約:
(EN) Disclosed is a magnetoresistive element having a proper area resistance and a high magnetic resistance ratio. In the magnetoresistive element, a semimetal having at least one structure selected from an L21 structure, a B2 structure, an A2 structure, a C1b structure and a B1 structure is used in an intermediate layer to be arranged between a fixed layer and a free layer. In this manner, it becomes possible to form a homogeneous intermediate layer having excellent lattice matching to the fixed layer and the free layer. Electrons capable of transmitting through the intermediate layer are controlled by controlling the laminate structure of a semimetal layer or by doping. In this manner, a high magnetic resistance ratio and a higher area resistance compared with those of metals can be achieved.
(FR) L'invention concerne un élément magnétorésistif ayant une bonne résistance par unité de surface et un rapport de résistance magnétique élevé. Dans l'élément magnétorésistif, un semimétal ayant au moins une structure sélectionnée parmi une structure L21, une structure B2, une structure A2, une structure C1b et une structure B1 est utilisé comme couche intermédiaire à implanter entre une couche fixée et une couche libre. De cette manière, il devient possible de former une couche intermédiaire homogène ayant une excellente correspondance du réseau avec la couche fixée et la couche libre. Des électrons capables de passer au travers de la couche intermédiaire sont contrôlés par commande de la structure stratifiée de la couche de semimétal ou par dopage. De cette manière, il est possible d'obtenir un rapport de résistance magnétique élevée et une résistance par unité de surface plus élevée que celle des métaux.
(JA)  適度な面積抵抗と高い磁気抵抗比を有する磁気抵抗素子を実現する。このため、固定層と自由層との間の中間層に、L21 構造、B2構造、A2構造、C1b 構造又はB1構造の少なくともいずれか一つの構造を有する半金属を使用する。これにより、固定層や自由層との格子整合性に優れる均一な中間層を形成することができる。また、中間層を透過可能な電子を半金属層の積層構造及びドーピングによって制御する。これにより、高い磁気抵抗比と、金属に比べて高い面積抵抗とを実現することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2011122078