国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2011121971) 不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置への書き込み方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/121971 国際出願番号: PCT/JP2011/001810
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 28.03.2011
IPC:
G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
13
11/00,23/00,または25/00に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
加藤 佳一 KATOH, Yoshikazu; null (UsOnly)
発明者:
加藤 佳一 KATOH, Yoshikazu; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-07968830.03.2010JP
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE STORAGE DEVICE AND METHOD FOR WRITING TO NON-VOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置への書き込み方法
要約:
(EN) Disclosed is a non-volatile storage device with improved write operation stability and reliability. The non-volatile storage device comprises a variable resistance element (106) and a write circuit (101) that writes data to the variable resistance element (106). The variable resistance element (106) has a characteristic of changing from a first resistance state (LR state or HR state) to a second resistance state (HR state or LR state) when a first voltage (Vh or V1) pulse is applied and changing from the second resistance state to the first resistance state when a second voltage (V1 or Vh) pulse with a different polarity to the first voltage is applied. When the variable resistance element (106) is changed from the first resistance state to the second resistance state, the write circuit (101) applies to the variable resistance element (106) at least, in the following order, the first voltage (Vh or V1) pulse, a third resistance voltage (V1 Low or Vh Low) pulse with a smaller voltage absolute value than the second voltage and with the same polarity as the second voltage, and the first voltage (Vh or V1) pulse.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de mémoire non volatile présentant une stabilité et une fiabilité améliorées des opérations d'écriture. Le dispositif de mémoire non volatile comprend un élément à résistance variable (106) et un circuit d'écriture (101) qui écrit des données dans l'élément à résistance variable (106). L'élément à résistance variable (106) a pour caractéristique de passer d'un premier état de résistance (état LR ou état HR) à un second état de résistance (état HR ou état LR) lorsqu'il est appliqué une première impulsion de tension (Vh ou V1) et de passer du second état de résistance au premier état de résistance lorsqu'il est appliqué à la première tension une deuxième impulsion de tension (V1 ou Vh) ayant une polarité différente. Quand l'élément à résistance variable (106) est passé du premier état de résistance au second état de résistance, le circuit d'écriture (101) applique au moins à l'élément à résistance variable (106), et dans l'ordre suivant, la première impulsion de tension (Vh ou V1), une troisième impulsion de tension de résistance (V1 Bas ou Vh Bas) ayant une valeur absolue de tension inférieure à l a deuxième tension et ayant la même polarité que la deuxième tension, puis la première impulsion de tension (Vh ou V1).
(JA) 書き込み動作の安定性及び信頼性を向上した不揮発性記憶装置を提供する。その不揮発性記憶装置は、抵抗変化型素子(106)と、抵抗変化型素子(106)に情報を書き込む書き込み回路(101)とを備え、抵抗変化型素子(106)は、第1電圧(Vh又はVl)のパルスが印加されると第1抵抗状態(LR状態又はHR状態)から第2抵抗状態(HR状態又はLR状態)へと変化し、第1電圧とは極性が異なる第2電圧(Vl又はVh)のパルスが印加されると第2抵抗状態から第1抵抗状態へと変化する特性を有し、書き込み回路(101)は、抵抗変化型素子(106)を第1抵抗状態から第2抵抗状態に変化せしめるときに、抵抗変化型素子(106)に対して、少なくとも、第1電圧(Vh又はVl)のパルスと、第2電圧よりも電圧の絶対値が小さく、かつ、第2電圧と極性が等しい第3電圧(VlLow又はVhLow)のパルスと、第1電圧(Vh又はVl)のパルスとを、この順で印加する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20120069633JPWO2011121971CN102422361US20140050015JP5307213IN8831/CHENP/2011