国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2011121970) 抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法及び抵抗変化型不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/121970 国際出願番号: PCT/JP2011/001809
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 28.03.2011
予備審査請求日: 08.12.2011
IPC:
G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
13
11/00,23/00,または25/00に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
河合 賢 KAWAI, Ken; null (UsOnly)
島川 一彦 SHIMAKAWA, Kazuhiko; null (UsOnly)
片山 幸治 KATAYAMA, Koji; null (UsOnly)
発明者:
河合 賢 KAWAI, Ken; null
島川 一彦 SHIMAKAWA, Kazuhiko; null
片山 幸治 KATAYAMA, Koji; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-07947830.03.2010JP
発明の名称: (EN) FORMING METHOD FOR VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE À RÉSISTANCE VARIABLE ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法及び抵抗変化型不揮発性記憶装置
要約:
(EN) Disclosed is a forming method for a variable resistance non-volatile memory element which provides lower forming voltage than conventional methods and whereby variation in forming voltage between individual variable resistance elements can be avoided. The forming method initializes a variable resistance element (100) and includes a step (S24) that determines whether or not a 1T1R memory cell current is larger than a reference current; a step (22) that, when the current is determined to be larger (i.e., "No" in S24), applies a positive voltage pulse for forming whereby the pulse width (Tp (n)) is stepped up; and a step (S23) that applies a negative voltage pulse with a pulse width (Tn) at or below the pulse width Tp (n). The step S24 and the voltage application steps S22 and S23 are repeated until the forming has been completed.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un élément de mémoire non volatile à résistance variable qui utilise une tension de formation inférieure à celle des procédés classiques, de sorte qu'une variation de la tension de formation entre des éléments particuliers à résistance variable peut être évitée. Le procédé de formation initialise un élément à résistance variable (100) et comprend une étape (S24) consistant à déterminer si un courant de cellule de mémoire 1T1R est supérieur à un courant de référence; une étape (S22) qui applique une impulsion de tension de formation positive lorsqu'il est déterminé que le courant est supérieur (autrement dit « Non » en S24), ce qui augmente la largeur d'impulsion (Tp(n)); et une étape (S23) qui applique une impulsion de tension négative ayant une largeur d'impulsion (Tn) inférieure ou égale à la largeur d'impulsion Tp(n). L'étape (S24) et les étapes d'application de tension (S22) et (S23) sont répétées jusqu'à la fin de la formation.
(JA) 従来に比べてフォーミング電圧を低くし、かつ、フォーミング電圧の抵抗変化素子ごとのばらつきを回避することが可能な抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法を提供する。そのフォーミング方法は、抵抗変化素子(100)を初期化させるフォーミング方法であって、1T1R型メモリセル電流が基準電流より大きいかどうかを判断するステップ(S24)と、大きくないと判断された場合に(S24でNo)、パルス幅(Tp(n))がステップアップされていくフォーミング用正電圧パルスを印加するステップ(S22)と、パルス幅Tp(n)以下のパルス幅Tnを有する負電圧パルスを印加するステップ(S23)とを含み、ステップ(S24)と印加ステップ(S22)及び印加ステップ(S23)とが、フォーミングが完了するまで繰り返す。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130044534JPWO2011121970CN102804278IN7929/CHENP/2012