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1. (WO2011121932) 光電気化学セル及びそれを用いたエネルギーシステム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/121932 国際出願番号: PCT/JP2011/001661
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 22.03.2011
IPC:
H01M 14/00 (2006.01) ,C25B 11/06 (2006.01) ,H01M 8/00 (2006.01) ,H01M 8/06 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
M
化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
14
6/00~12/00に分類されない電気化学的な電流または電圧の発生装置;その製造
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
B
化合物または非金属の製造のための電気分解または電気泳動方法;そのための装置
11
電極;他に分類されないその製造
04
材料に特徴のあるもの
06
使用した触媒に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
M
化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
8
燃料電池;その製造
H 電気
01
基本的電気素子
M
化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
8
燃料電池;その製造
06
反応物質の製造または反応生成物の処理のための手段と燃料電池との結合
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
谷口昇 TANIGUCHI, Noboru; null (UsOnly)
徳弘憲一 TOKUHIRO, Kenichi; null (UsOnly)
鈴木孝浩 SUZUKI, Takahiro; null (UsOnly)
黒羽智宏 KUROHA, Tomohiro; null (UsOnly)
野村幸生 NOMURA, Takaiki; null (UsOnly)
羽藤一仁 HATO, Kazuhito; null (UsOnly)
田村聡 TAMURA, Satoru; null (UsOnly)
発明者:
谷口昇 TANIGUCHI, Noboru; null
徳弘憲一 TOKUHIRO, Kenichi; null
鈴木孝浩 SUZUKI, Takahiro; null
黒羽智宏 KUROHA, Tomohiro; null
野村幸生 NOMURA, Takaiki; null
羽藤一仁 HATO, Kazuhito; null
田村聡 TAMURA, Satoru; null
代理人:
鎌田耕一 KAMADA, Koichi; 大阪府大阪市北区西天満4丁目3番25号梅田プラザビル別館8階 8th Fl., UMEDA PLAZA BLDG. ANNEX, 4-3-25, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2010-08341831.03.2010JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTROCHEMICAL CELL AND ENERGY SYSTEM USING SAME
(FR) CELLULE PHOTOÉLECTROCHIMIQUE ET SYSTÈME D'ÉNERGIE UTILISANT CELLE-CI
(JA) 光電気化学セル及びそれを用いたエネルギーシステム
要約:
(EN) Disclosed is a photoelectrochemical cell (100) which is provided with: a semiconductor electrode (120) that includes a conductor (121), and semiconductor layers (122, 123) disposed on the conductor (121); a counter electrode (130) electrically connected to the conductor (121); an electrolyte solution (140) in contact with the surface of the semiconductor layer (123) and that of the counter electrode (130); and a container (110) that contains the semiconductor electrode (120), the counter electrode (130) and the electrolyte solution (140). With the vacuum level as a reference, the band edge level (ECS) of the conductive band, the band edge level (EVS) of the valence band, and the Fermi level (EFS) in a semiconductor layer region close to the surface thereof, and the band edge level (ECJ) of the conductive band, the band edge level (EVJ) of the valence band, and the Fermi level (EFJ) in a semiconductor layer region close to the bonding surface to the conductor satisfy the following inequalities: ECS-EFS>ECJ-EFJ, EFS-EVSFJ-EVJ>-4.44eV, and EVS<-5.67eV. The Fermi level (EFS) in the semiconductor layer region close to the surface of the semiconductor layer and the Fermi level (EFJ) in the semiconductor layer region close to the bonding surface to the conductor respectively satisfy, with the vacuum level as a reference, the following inequalities: -5.67eVFS<-4.44eV and -5.67eVFJ<-4.44eV.
(FR) L'invention concerne une cellule photoélectrochimique (100) qui comprend : une électrode semi-conductrice (120) qui inclut un conducteur (121) et des couches semi-conductrices (122, 123) disposées sur le conducteur (121) ; une contre-électrode (130) connectée électriquement au conducteur (121) ; une solution électrolytique (140) en contact avec la surface de la couche semi-conductrice (123) et celle de la contre-électrode (130) ; et un contenant (110) qui contient la solution électrolytique (140). En prenant le niveau du vide comme référence, le niveau de bord de bande (ECS) de la bande conductrice, le niveau de bord de bande (EVS) de la bande de valence et le niveau de Fermi (EFS) dans la région de la couche semi-conductrice proche de la surface, de même que le niveau de bord de bande (ECJ) de la bande de conduction, le niveau du bord de bande (EVJ) de la bande de valence et le niveau de Fermi (EFJ) dans la région de la couche semi-conductrice proche de la surface de collage sur le conducteur satisfont les inégalités suivantes : ECS - EFS > ECJ - EFJ, EFS - EVS < EFJ - EVJ > -4.44 eV et EVS < -5.67 eV. Le niveau de Fermi (EFS) dans la région de la couche semi-conductrice proche de la surface de la couche semi-conductrice et le niveau de Fermi (EFJ) dans la région de la couche semi-conductrice proche de la surface de collage sur le conducteur satisfont respectivement, avec le niveau du vide comme référence, les inégalités suivantes : -5.67 eV < EFS < -4.44 eV et -5.67 eV < EFJ < -4.44 eV.
(JA)  光電気化学セル(100)は、導電体(121)及び導電体(121)上に配置された半導体層(122,123)を含む半導体電極(120)と、導電体(121)と電気的に接続された対極(130)と、半導体層(123)及び対極(130)の表面と接触する電解液(140)と、半導体電極(120)、対極(130)及び電解液(140)を収容する容器(110)と、を備える。真空準位を基準として、前記半導体層の表面近傍領域における伝導帯のハンドエッジ準位ECS、価電子帯のバンドエッジ準位EVS及びフェルミ準位EFSと、前記半導体層の前記導電体との接合面近傍領域における伝導帯のバンドエッジ準位ECJ、価電子帯のバンドエッジ準EVJ及びフェルミ準位EFJとが、ECS-EFS>ECJ-EFJ、EFS-EVS<EFJ-EVJ、ECJ>-4.44eV、及び、EVS<-5.67eV、を満たす。前記半導体層の表面近傍領域におけるフェルミ準位EFS及び前記半導体層の前記導電体との接合面近傍領域におけるフェルミ準位EFJが、それぞれ、真空準位を基準として、-5.67eV<EFS<-4.44eV、-5.67eV<EFJ<-4.44eVを満たす。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20120156578EP2555314JPWO2011121932CN102484303IN493/MUMNP/2012