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1. (WO2011121778) 薄膜多結晶シリコン、その製造方法および薄膜多結晶シリコンを製造するプラズマ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/121778 国際出願番号: PCT/JP2010/055946
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 31.03.2010
IPC:
C23C 16/24 (2006.01) ,C23C 16/509 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
24
けい素のみの析出
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
509
内部電極を用いるもの
出願人:
日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686, JP (AllExceptUS)
長町 学 NAGAMACHI Satoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
加藤 健治 KATO Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
稲実 宏 INAMI Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
林 司 HAYASHI Tsukasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
長町 学 NAGAMACHI Satoru; JP
加藤 健治 KATO Kenji; JP
稲実 宏 INAMI Hiroshi; JP
林 司 HAYASHI Tsukasa; JP
代理人:
上羽 秀敏 UEBA Hidetoshi; 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目4番16号 アクア堂島西館 インテリクス国際特許事務所 Intelix International, Aqua Dojima West, 4-16, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) THIN FILM POLYCRYSTALLINE SILICON AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, AND PLASMA DEVICE FOR PRODUCTION OF THIN FILM POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF À PLASMA POUR LA PRODUCTION D'UN SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR FILM MINCE
(JA) 薄膜多結晶シリコン、その製造方法および薄膜多結晶シリコンを製造するプラズマ装置
要約:
(EN) Disclosed is a thin film polycrystalline silicon (10) comprising a substrate (1) and a polycrystalline silicon (2). The polycrystalline silicon (2) is formed on the substrate (1) in contact with the substrate (1). The polycrystalline silicon (2) has such a structure that multiple columnar crystals (20) are aligned in the in-plane direction of the substrate (1). Each of the columnar crystals (20) is composed of three silicon crystal grains (21 to 23). The silicon crystal grains (21 to 23) are aligned in the normal direction of the substrate (1). The silicon crystal grains (21) are formed on the substrate (1) in contact with the substrate (1). The silicon crystal grain (22) is formed on the silicon crystal grain (21). The silicon crystal grain (23) is formed on the silicon crystal grain (22).
(FR) L'invention concerne un silicium (10) polycristallin pour film mince comprenant un substrat (1) et un silicium (2) polycristallin. Le silicium (2) polycristallin est formé sur le substrat (1) en contact avec le substrat (1). Le silicium (2) polycristallin possède une structure selon laquelle de multiples cristaux (20) columnaires sont alignés dans la direction du plan du substrat (1). Chacun des cristaux (20) columnaires est composé de trois grains (21 à 23) de cristal de silicium. Les grains (21 à 23) de cristal de silicium sont alignés dans la direction normale du substrat (1). Les grains (21) de cristal de silicium sont formés sur le substrat (1) en contact avec le substrat (1). Le grain (22) de cristal de silicium est formé sur le grain (21) de cristal de silicium. Le grain (23) de cristal de silicium est formé sur le grain (22) de cristal de silicium.
(JA)  薄膜多結晶シリコン(10)は、基板(1)と、多結晶シリコン(2)とを備える。多結晶シリコン(2)は、基板(1)に接して基板(1)上に形成される。そして、多結晶シリコン(2)は、複数の柱状結晶(20)が基板(1)の面内方向に配列された構造からなる。柱状結晶(20)は、3個のシリコン結晶粒(21~23)からなる。シリコン結晶粒(21~23)は、基板(1)の法線方向に配列される。シリコン結晶粒(21)は、基板(1)に接して基板(1)上に形成される。シリコン結晶粒(22)は、シリコン結晶粒(21)上に形成される。シリコン結晶粒(23)は、シリコン結晶粒(22)上に形成される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)