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1. (WO2011121776) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/121776 国際出願番号: PCT/JP2010/055937
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 31.03.2010
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP (AllExceptUS)
小田 穣 ODA, Minoru [JP/JP]; null (UsOnly)
手塚 勉 TEZUKA, Tsutomu [JP/JP]; null (UsOnly)
発明者:
小田 穣 ODA, Minoru; null
手塚 勉 TEZUKA, Tsutomu; null
代理人:
鈴江 武彦 SUZUYE, Takehiko; 東京都港区虎ノ門1丁目12番9号 鈴榮特許綜合事務所内 c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a process for producing a semiconductor device in which a lattice-relaxed SiGe layer is formed on an insulation layer. In the process, a SiGe layer formed on an insulation layer is so processed as to have an island-like structure composed of a first region having a larger width and a second region having a smaller width, the SiGe layer is thermally oxidized to increase the Ge content in the second region compared with that in the first region, the second region having an increased Ge content is molten by a heat treatment, and the molten second region is recrystallized from the interface with the first region.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur dans lequel une couche de SiGe à réseau relaxé est formée sur une couche d'isolation. Dans le procédé, une couche de SiGe formée sur une couche d'isolation est traitée de manière à avoir une structure en îlots composée d'une première région ayant une largeur supérieure et d'une seconde région ayant une largeur inférieure ; la couche de SiGe est oxydée thermiquement pour augmenter la teneur en Ge dans la seconde région, par rapport à celle de la première région ; la seconde région avec teneur en Ge augmentée est fondue par un traitement thermique et la seconde région fondue est recristallisée à partir de l'interface avec la première région.
(JA)  絶縁膜上に格子緩和したSiGe層を作製するための半導体装置の製造方法であって、絶縁膜上に形成されたSiGe層を、幅の広い第1の領域と幅の狭い第2の領域を有する島状に加工した後、SiGe層を熱酸化することにより、第1の領域よりも第2の領域のGe組成を高くし、Ge組成が高められた第2の領域を熱処理により融解し、融解した第2の領域を第1の領域との界面から再結晶化させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
JPWO2011121776