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1. (WO2011121678) 半導体レーザアレイ及び半導体レーザアレイの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2011/121678 国際出願番号: PCT/JP2010/005197
国際公開日: 06.10.2011 国際出願日: 24.08.2010
IPC:
H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
20
半導体本体の光を導波する構造または形状
22
リッジまたはストライプ構造を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
左文字 克哉 SAMONJI, Katsuya; null (UsOnly)
発明者:
左文字 克哉 SAMONJI, Katsuya; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-07610429.03.2010JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER ARRAY
(FR) RÉSEAU DE LASER À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN RÉSEAU DE LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザアレイ及び半導体レーザアレイの製造方法
要約:
(EN) Disclosed are a stable high-output semiconductor laser array and a method for manufacturing the semiconductor laser array. Specifically disclosed is a semiconductor laser array (100), which comprises: a substrate (101) that is provided, in a main surface, with recessed step portions (101a, 101b, 101c) that are long in the direction parallel to the exit direction of laser light; a laminated structure; and a plurality of optical waveguides (113a, 113b, 113c) that are formed to be parallel to the step portions (101a, 101b, 101c). The distance from the cross-directional center of at least one optical waveguide among the plurality of optical waveguides (113a, 113b, 113c) to the cross-directional center of the step portions (101a, 101b, 101c) is different from the distance from the cross-directional center of the other optical waveguides among the plurality of optical waveguides (113a, 113b, 113c) to the cross-directional center of the step portions (101a, 101b, 101c).
(FR) L'invention concerne un réseau de lasers à semi-conducteurs stable et à sortie élevée, ainsi qu'un procédé de fabrication du réseau de lasers à semi-conducteurs. Plus spécifiquement, l'invention concerne un réseau de lasers à semi-conducteurs (100) qui comprend : un substrat (101) qui possède, sur une surface principale, des parties en échelon en décrochement (101a, 101b, 101c) qui sont allongées dans une direction parallèle à la direction de sortie de la lumière laser ; une structure colaminée ; et une pluralité de guides d'ondes optiques (113a, 113b, 113c) qui sont formés parallèlement aux parties en échelon (101a, 101b, 101c). La distance entre le centre, dans la direction transversale, d'au moins l'un des guides d'ondes optiques (113a, 113b, 113c) et le centre, dans la direction transversale, des parties en échelon (101a, 101b, 101c) est différente de la distance entre le centre, dans la direction transversale, des autres guides d'ondes parmi la pluralité de guides d'ondes optiques (113a, 113b, 113c) et le centre, dans la direction transversale, des parties en échelon (101a, 101b, 101c).
(JA)  高出力で安定した半導体レーザアレイ及びその製造方法を提供する。半導体レーザアレイ(100)は、レーザ光の出射方向と平行に長尺な凹状の段差部(101a、101b、101c)を主面に有する基板(101)と、積層構造体と、段差部(101a、101b、101c)と平行に形成された複数の光導波路(113a、113b、113c)とを備え、複数の光導波路(113a、113b、113c)のうちの少なくとも1の光導波路の幅方向の中心から段差部(101a、101b、101c)の幅方向の中心までの距離は、複数の光導波路(113a、113b、113c)のうちの他の光導波路の幅方向の中心から段差部(101a、101b、101c)の幅方向の中心までの距離と異なる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)