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1. (WO2011118789) シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118789    国際出願番号:    PCT/JP2011/057405
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 25.03.2011
IPC:
H01L 23/15 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01), H01L 23/14 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAURA, Takumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKUMURA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKATANI, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAURA, Takumi; (JP).
OKUMURA, Shin; (JP).
NAKATANI, Tomohiro; (JP)
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2010-071470 26.03.2010 JP
発明の名称: (EN) GLASS SUBSTRATE HAVING SILICON WIRING EMBEDDED THEREIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE GLASS SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE VERRE DOTÉ D'UN CÂBLAGE DE SILICIUM INCORPORÉ DANS CELUI-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE VERRE
(JA) シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a glass substrate having silicon wiring embedded therein, said glass substrate having a highly reliable wiring section (52a). The glass substrate having the silicon wiring embedded therein is provided with a glass substrate (54) having the first main surface (SF1) and the second main surface (SF2), which are facing each other, and a silicon member (52a, 55), which is disposed inside of the glass substrate (54). The silicon member (52a, 55) is provided with a wiring section (52a), which penetrates the glass substrate (54) from the first main surface (SF1) to the second main surface (SF2), and a surrounding section (55) which surrounds the wiring section (52a) in the direction perpendicular to the normal line of the first main surface (SF1).
(FR)La présente invention a trait à un substrat de verre doté d'un câblage de silicium incorporé dans celui-ci, ledit substrat de verre étant pourvu d'une section de câblage hautement fiable (52a). Le substrat de verre doté du câblage de silicium incorporé dans celui-ci est équipé d'un substrat de verre (54) doté de la première surface principale (SF1) et de la seconde surface principale (SF2), qui se font face l'une par rapport à l'autre, et d'un élément de silicium (52a, 55), qui est disposé à l'intérieur du substrat de verre (54). L'élément de silicium (52a, 55) est équipé d'une section de câblage (52a), qui pénètre dans le substrat de verre (54) à partir de la première surface principale (SF1) jusqu'à la seconde surface principale (SF2), et d'une section enveloppante (55) qui entoure la section de câblage (52a) dans la direction perpendiculaire à la ligne perpendiculaire de la première surface principale (SF1).
(JA) 信頼性の高い配線部52aを有するシリコン配線埋込ガラス基板を提供する。 シリコン配線埋込ガラス基板は、対向する第1の主面SF1及び第2の主面SF2を有するガラス基板54と、ガラス基板54の内部に配置されたシリコン部材(52a、55)とを備える。シリコン部材(52a、55)は、ガラス基板54の第1の主面SF1と第2の主面SF2の間を貫通する配線部52aと、第1の主面SF1の法線に垂直な方向において、配線部52aを囲む包囲部55とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)