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1. (WO2011118770) 多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/118770    国際出願番号:    PCT/JP2011/057355
国際公開日: 29.09.2011 国際出願日: 25.03.2011
IPC:
C01B 33/02 (2006.01), B22D 27/04 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. [JP/JP]; 1-6, Barajima 3-chome, Akita-shi, Akita 0108585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUZUKIHASHI Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEDA Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANAI Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKITA Saburo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUZUKIHASHI Koji; (JP).
IKEDA Hiroshi; (JP).
KANAI Masahiro; (JP).
WAKITA Saburo; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2010-071699 26.03.2010 JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, AND POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴット
要約: front page image
(EN)Disclosed are a manufacturing method for a polycrystalline silicon ingot, and a polycrystalline silicon ingot in the base of which parts having a high oxygen concentration are reduced, and which can significantly improve the production yield of polycrystalline silicon. In the disclosed manufacturing method for a polycrystalline silicon ingot, a silicon melt accumulated in a crucible is unidirectionally solidified from the bottom of the crucible in an upward direction. A silicon nitride coating layer is formed on the inner surface of the side walls and the base of the crucible, and the solidification process which occurs in the crucible is classified in three regions, using the bottom of the crucible as a base: a first region from 0 mm to height X (10 mm≤X<30 mm); a second region from height X to height Y (30 mm≤Y<100 mm); and a third region from at least height Y. The solidification rate (V1) in the first region is set in the range 10 mm/h≤V1≤20 mm/h, and the solidification rate (V2) in the second region is set in the range 1 mm/h≤V2≤5mm/h.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium polycristallin, et un lingot de silicium polycristallin comprenant une base dans laquelle les parties ayant une concentration d'oxygène élevée sont réduites, ce qui peut significativement améliorer le rendement de la production de silicium polycristallin. Dans le procédé de fabrication d'un lingot de silicium polycristallin ci-décrit, une masse de silicium fondue qui s'est accumulée dans un creuset est solidifiée unidirectionnellement à partir du fond du creuset dans une direction ascendante. Une couche de revêtement de nitrure de silicium se forme sur la surface intérieure des parois latérales et de la base du creuset, et le procédé de solidification qui s'opère dans le creuset se décompose en trois régions, en prenant le fond du creuset comme base : une première région de 0 mm à une hauteur X (10 mm ≤X <30 mm) ; une deuxième région d'une hauteur X à une hauteur Y (30 mm ≤Y <100 mm) ; et une troisième région à partir au moins de la hauteur Y. La vitesse de solidification (V1) dans la première région est fixée dans la plage 10 mm/h≤V1≤20 mm/h, et la vitesse de solidification (V2) dans la deuxième région est fixée dans la plage 1 mm/h≤V2≤5mm/h.
(JA) 底部における酸素濃度が高い部分を少なくし、多結晶シリコンの歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。ルツボ内に貯留したシリコン融液を、その底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記ルツボは、その側壁内面及び底面内面には窒化珪素のコーティング層が形成されており、前記ルツボ内における凝固過程を、前記ルツボの底面を基準として、0mmから高さX(10mm≦X<30mm)までの第1領域と、高さXから高さY(30mm≦Y<100mm)までの第2領域と、高さY以上の第3領域と、に区分けし、前記第1領域における凝固速度V1が、10mm/h≦V1≦20mm/hの範囲内に設定され、前記第2領域における凝固速度V2が、1mm/h≦V2≦5mm/hの範囲内に設定されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)